[发明专利]发光元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010531204.X 申请日: 2010-11-03
公开(公告)号: CN102054937A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 山田二郎;西村贞一郎 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴孟秋;梁韬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光元件,包括:

第一电极;

有机层,形成在所述第一电极上;

电阻层,形成在所述有机层上;

第二电极;以及

导电性树脂层,形成在所述电阻层和所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述导电性树脂层具有约1×10-4Ωm至约1×102Ωm范围内的电阻率。

3.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述导电性树脂层具有约1×10-6m至约1×10-4m范围内的厚度。

4.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述电阻层具有约1×102Ωm至约1×106Ωm范围内的电阻率。

5.根据权利要求1所述的发光元件,其中,所述电阻层具有约0.1μm至约2μm范围内的厚度。

6.一种制造发光元件的方法,所述方法包括:

通过以下步骤形成第一部分:

形成第一电极,

在所述第一电极上形成有机层,以及

在所述有机层上形成电阻层;

通过以下步骤形成第二部分

形成第二电极;以及

通过在所述电阻层和所述第二电极之间设置导电性树脂层来接合所述第一部分和所述第二部分。

7.根据权利要求6所述的制造发光元件的方法,其中,所述导电性树脂层具有约1×10-4Ωm至约1×102Ωm范围内的电阻率。

8.根据权利要求6所述的制造发光元件的方法,其中,所述导电性树脂层具有约1×10-6m至约1×10-4m范围内的厚度。

9.根据权利要求6所述的制造发光元件的方法,其中,所述电阻层具有约1×102Ωm至约1×106Ωm范围内的电阻率。

10.根据权利要求6所述的制造发光元件的方法,其中,所述电阻层具有约0.1μm至约2μm范围内的厚度。

11.一种发光元件,包括:

第一电极;

有机层,形成在所述第一电极上;

电阻层,形成在所述有机层上;以及

包括导电性树脂材料的第二电极,所述第二电极在所述电阻层上形成。

12.根据权利要求11所述的发光元件,其中,所述导电性树脂材料具有小于或等于约5×10-3Ωm的电阻率。

13.根据权利要求11所述的发光元件,其中,所述第二电极具有约1μm至约100μm范围内的厚度。

14.根据权利要求11所述的发光元件,其中,所述电阻层具有约1×102Ωm至约1×106Ωm范围内的电阻率。

15.根据权利要求11所述的发光元件,其中,所述电阻层具有约0.1μm至约2μm范围内的厚度。

16.一种制造发光元件的方法,所述方法包括:

通过以下步骤形成第一部分:

形成第一电极,

在所述第一电极上形成有机层,以及

在所述有机层上形成电阻层;

通过以下步骤形成第二部分:

在基板上形成第二电极,所述第二电极包括导电性树脂材料;以及

通过将所述第二电极连接至所述电阻层来接合所述第一部分和所述第二部分。

17.根据权利要求16所述的制造发光元件的方法,其中,所述导电性树脂材料具有小于或等于约5×10-3Ωm的电阻率。

18.根据权利要求16所述的制造发光元件的方法,其中,所述第二电极具有约1μm至约100μm范围内的厚度。

19.根据权利要求16所述的制造发光元件的方法,其中,所述电阻层具有约1×102Ωm至约1×106Ωm范围内的电阻率。

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