[发明专利]离子注入装置及束电流密度分布的调整方法有效
申请号: | 201010528640.1 | 申请日: | 2010-11-01 |
公开(公告)号: | CN102237245A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 中尾和浩 | 申请(专利权)人: | 日新离子机器株式会社 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/304 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 装置 电流密度 分布 调整 方法 | ||
1.一种离子注入装置,其特征在于包括:
m个离子束供给装置,提供m个带状离子束,其中m为2以上的整数;
束轮廓仪,设置于处理室内,分别测定所述m个带状离子束在长边方向上的束电流密度分布;
束电流密度分布调整部件,按照每个所述离子束供给装置分别设置,用于调整用所述束轮廓仪测定的所述束电流密度分布;
玻璃基板输送机构,在所述处理室内,以与所述m个带状离子束的长边方向交叉的方式输送玻璃基板;以及
控制装置,控制所述束电流密度分布调整部件,在由所述玻璃基板输送机构输送的所述玻璃基板上,使由所述m个带状离子束照射的区域至少部分重叠,实现预先规定的注入量分布,
所述控制装置对所述m个带状离子束分别设定作为所述束电流密度分布的调整目标的目标分布,
并按照预先决定的顺序,控制到第m-1个为止的所述带状离子束的所述束电流密度分布,使得该束电流密度分布相对于对各个带状离子束设定的所述目标分布进入第一容许范围内,
而且所述控制装置根据将到第m-1个为止的所述带状离子束调整后的束电流密度分布合计所得到的束电流密度分布与将对到第m个为止的所述带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差,设定用于调整第m个所述带状离子束的所述束电流密度分布的新的目标分布,并控制所述第m个所述带状离子束的束电流密度分布,使得该第m个所述带状离子束的束电流密度分布相对于所述新的目标分布进入比所述第一容许范围小的第二容许范围内。
2.根据权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于:
所述控制装置在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后,判断将到第n个为止的各束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差,是否在比所述第一容许范围大的第三容许范围内,其中n为整数,且2≤n≤m-1,
并在所述差不在所述第三容许范围内的情况下,对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整,使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内。
3.根据权利要求1所述的离子注入装置,其特征在于:
所述控制装置在调整第n个所述带状离子束的束电流密度分布之后,判断将到第n个为止的各带状离子束的束电流密度分布的调整结果合计所得到的束电流密度分布与将对到第n个为止的各带状离子束设定的所述目标分布合计所得到的束电流密度分布之间的差,是否在第三容许范围内,其中n为整数,且1≤n≤m-1,
并在所述差不在所述第三容许范围内的情况下,对第n个离子束的束电流密度分布进行重新调整,使得该第n个离子束的束电流密度分布进入所述第三容许范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日新离子机器株式会社,未经日新离子机器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010528640.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。