[发明专利]具有对准标记的半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种具有对准标记的半导体结构，其特征在于，包括：

多个栅极堆叠，位于一半导体基板上并构成一对准标记；

多个掺杂结构，位于每一该些栅极堆叠两侧的该半导体基板中；以及

多个通道区位于该些栅极堆叠下方，且该些通道区不具有任何掺质。

2.根据权利要求1所述的具有对准标记的半导体结构，其特征在于，该掺杂结构包括淡掺杂漏极结构、重掺杂源极/漏极结构、环形布植结构或其任意组合。

3.根据权利要求1所述的具有对准标记的半导体结构，其特征在于，该些栅极堆叠构成一光栅结构。

4.一种具有对准标记的半导体结构，具有一对准标记，其特征在于，包括：

一半导体基板，具有一组件区与一对准区；

一场效晶体管组件，位于该组件区中，其包括：

一第一栅极堆叠形成于该半导体基板上；

一第一源极/漏极区，位于该第一栅极堆叠两侧的该半导体基板中；以及

一第一通道区具有一通道掺杂结构，位于该第一栅极堆叠下的该半导体基板中；以及

一对准标记形成于该对准区中，包括：

一第二栅极堆叠形成于该半导体基板上；

一第二源极/漏极区，位于该第二栅极堆叠两侧的该半导体基板中；以及

一第二通道区，位于该第二栅极堆叠下的该半导体基板中，且该第二通道区不具有该通道掺杂结构。

5.根据权利要求4所述的具有对准标记的半导体结构，其特征在于，该第一与第二源极/漏极区包括：

淡掺杂漏极结构；以及

重掺杂源极/漏极结构。

6.根据权利要求4所述的具有对准标记的半导体结构，其特征在于，该通道掺杂结构包括用以调整临界电压的掺质。

7.根据权利要求4所述的具有对准标记的半导体结构，其特征在于，该半导体基板包括硅，且该第二源极/漏极区的折射率为3。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基板，其具有一组件区与一对准区；

进行一第一离子布植至该半导体基板的该组件区中，同时以一布植掩模层覆盖该对准区，该第一离子布植是择自井区布植、临界电压布植与上述的组合；

接着形成一第一多晶硅栅极堆叠于该组件区中，与一第二多晶硅栅极堆叠于该对准区中；以及

接着进行一第二离子布植至该半导体基板的该组件区与该对准区，该第二离子布植的步骤会调整该半导体基板的折射率，且会将来自该对准区的对准信号的晶片质量提升至大于1％。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

形成一层间介电材料层于该半导体基板上；

将该第一与第二多晶硅栅极堆叠置换为金属栅极堆叠；

涂布一光阻层于该层间介电材料层上；

根据来自对准区的对准信号，将光罩对准该半导体基板；以及

以该光罩的接点图案曝光该光阻层。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，该第二离子布植的掺杂剂量大于10¹⁴离子数/cm²。