[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沟槽型的金属氧化物半导体场效应晶体管，形成于n型半导体衬底中；

集成的肖特基二极管，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管旁边，且包括与该n型半导体衬底接触的正极金属层；以及

沟槽隔离结构，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管和该肖特基二极管之间，从而阻挡该金属氧化物半导体场效应晶体管的p型阱掺杂区的一部分朝向该肖特基二极管扩散，

其中该p型阱掺杂区具有经该沟槽隔离结构下方横向扩散到该肖特基二极管的靠近该沟槽隔离结构的部分区域中的突出部。

2.一种半导体器件，集成有沟槽型的金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基二极管，该半导体器件包括：

n型半导体衬底；

p型阱掺杂区，位于该n型半导体衬底中；

n⁺型掺杂区，位于该p型阱掺杂区的表面处；

第一沟槽，穿过该n⁺型掺杂区和该p型阱掺杂区向下延伸到该n型半导体衬底中，且具有形成在其中的栅极结构；

第二沟槽，位于该p型阱掺杂区旁边，并具有形成在其中的沟槽隔离结构以阻挡该p型阱掺杂区的一部分的横向扩散；

正极金属层，位于相邻的两个第二沟槽之间的该n型半导体衬底上以形成金属-半导体接触面，

其中该p型阱掺杂区具有经该第二沟槽下方横向扩散到所述相邻的两个第二沟槽之间的n型半导体衬底的部分区域中的突出部。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中该沟槽隔离结构包括形成在沟槽中的栅极结构。

4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中该沟槽隔离结构包括形成在沟槽中的绝缘材料。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其中该第二沟槽的深度浅于该第一沟槽。

6.如权利要求2所述的半导体器件，还包括：

源极电极，形成于该n⁺型掺杂区中，

其中该正极金属层电连接到该源极电极。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中该源极电极穿过该n⁺型掺杂区向下延伸到该p型阱掺杂区中，且

在该源极电极的位于该p型阱掺杂区中的末端周围形成有p⁺区。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供n型半导体衬底；

在该n型半导体衬底中形成第一沟槽；

在该第一沟槽旁边的该n型半导体衬底中形成第二沟槽，该第二沟槽比该第一沟槽浅；

在该第一沟槽中形成栅极结构；

在该第二沟槽中形成沟槽隔离结构；

在该第二沟槽的面向该第一沟槽的一侧进行离子注入工艺，并进行扩散工艺以形成p型阱掺杂区，该p型阱掺杂区的下表面介于该第一沟槽的下端和该第二沟槽的下端之间，该p型阱掺杂区具有经该第二沟槽下方横向扩散到相邻的第二沟槽之间的部分n型半导体衬底区域中的突出部；

在该p型阱掺杂区的表面处形成n⁺源极区；

在该n⁺源极区中形成源极电极；以及

在相邻的第二沟槽之间的该n型半导体衬底上形成正极金属层。

9.如权利要求8所述的方法，其中该沟槽隔离结构具有与该第一沟槽中的栅极结构相同的结构，且与该第一沟槽中的栅极结构同时形成。

10.如权利要求8所述的方法，其中该沟槽隔离结构由绝缘材料形成。