[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成多层；

刻蚀所述衬底的一部分和所述多层来形成多个图案；

形成支撑件来支撑所述多个图案；以及

去除在所述刻蚀期间形成的残留物。

2.如权利要求1所述的方法，其中，将所述支撑件形成为与所述多个图案垂直的线状。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成支撑件的步骤包括以下步骤：

形成绝缘层，所述绝缘层间隙填充所述图案之间的空间并覆盖所述图案的顶表面；

以使光致抗蚀剂图案与所述图案相交叉的方式在所述绝缘层之上形成所述光致抗蚀剂图案；以及

使用所述光致抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述绝缘层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述绝缘层包括氧化物。

5.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在所述去除残留物的步骤之后，形成元件隔离层来间隙填充所述图案之间的空间。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述图案是通过层叠隧道绝缘层、浮置栅极导电层和硬掩模层而形成的；并且，所述形成元件隔离层的步骤伴随着平坦化工艺的执行，利用所述平坦化工艺将所述支撑件部分地去除，并且所述平坦化工艺在到达所述硬掩模层时停止。

7.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述支撑件的过程中，将所述支撑件形成为浮置型来支撑所述图案的上部。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述形成支撑件的步骤包括以下步骤：

形成第一绝缘层来间隙填充各个所述图案之间的空间；

使所述第一绝缘层凹陷以暴露所述图案的顶表面；

在凹陷了的所述第一绝缘层之上层叠第二绝缘层和第三绝缘层；

以使光致抗蚀剂图案与所述图案相交叉的方式在所述第三绝缘层之上形成所述光致抗蚀剂图案；

使用所述光致抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述第三绝缘层；

去除所述光致抗蚀剂图案；以及

使用所述第三绝缘层作为刻蚀阻挡层以部分地刻蚀所述第二绝缘层，来形成所述支撑件。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一绝缘层和所述第三绝缘层是由氧化物形成的，而所述第二绝缘层是由氮化物形成的。

10.如权利要求9所述的方法，还包括如下步骤：在所述形成支撑件的步骤之后，在利用湿法刻蚀去除所述第一绝缘层和所述第三绝缘层的同时将所述刻蚀残留物去除。

11.如权利要求10所述的方法，还包括如下步骤：在所述去除所述第一绝缘层和所述第三绝缘层的步骤之后，形成元件隔离层来间隙填充所述图案之间的空间。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述图案是通过层叠隧道绝缘层、浮置栅极导电层和硬掩模层而形成的，而所述形成元件隔离层的步骤伴随着平坦化工艺，利用所述平坦化工艺将所述支撑件去除。

13.如权利要求1所述的方法，其中，将至少一个或更多个支撑件形成为与所述多个图案相交叉。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述多层包括在所述衬底之上的浮置栅极导电层。

15.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

对结构进行刻蚀来形成多个图案；

形成与所述图案相交叉并支撑所述图案的支撑件；以及

去除在形成所述图案时所产生的刻蚀残留物。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述形成支撑件的步骤包括以下步骤：

形成绝缘层，所述绝缘层间隙填充所述图案之间的空间并覆盖所述图案的顶表面；以及

刻蚀所述绝缘层，其中，被刻蚀了的所述绝缘层支撑所述多个图案。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述形成支撑件的步骤包括以下步骤：利用与所述多个图案相交叉的光致抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述绝缘层。

18.如权利要求15所述的方法，其中，在形成所述支撑件的过程中，将所述支撑件形成为浮置型来支撑所述图案的上部。