[发明专利]一种低温型草菇新菌株的诱变方法和应用无效

专利信息
申请号: 201010523428.6 申请日: 2010-10-26
公开(公告)号: CN102119629A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 林俊芳;游丽容;郭丽琼;曾志忠 申请(专利权)人: 华南农业大学
主分类号: A01G1/04 分类号: A01G1/04;A01H1/06
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林丽明
地址: 510642 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温 草菇 菌株 诱变 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种低温型草菇新菌株的诱变方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)将草菇菌丝块接种到含有0.6%(W/V)氯化锂的固体PDSA平板上;所述含0.6%(W/V)氯化锂固体培养基配方为:去皮马铃薯200g,葡萄糖20g,KH2PO43g,MgSO41.5g,维生素B15~10mg,氯化锂6g,琼脂20g,水1升;

(2)将步骤(1)接有菌丝块的含氯化锂的固体PDSA平板置于紫外光线下照射处理后避光培养;

(3)将经步骤(2)处理后恢复生长的草菇菌丝体切割成薄块,转接到新的PDSA平板,置于0℃低温处理后正常培养进行筛选;所述PDSA平板组成为:去皮马铃薯200g,葡萄糖20g,KH2PO43g,MgSO41.5g,维生素B15~10mg,琼脂20g,水1升;

(4)将步骤(3)中存活的草菇菌丝块继续切割成薄的小菌块,转接至新鲜的PDSA平板上,并按步骤(3)中方法重复筛选,存活的菌丝即为诱变株。

2.根据权利要求1所述低温型草菇新菌株的诱变方法,其特征在于步骤(1)所述草菇菌丝块为0.1×0.1cm大小。

3.根据权利要求1或2所述低温型草菇新菌株的诱变方法,其特征在于步骤(1)所述草菇菌丝为在32℃恒温培养箱培养3d。

4.根据权利要求1所述低温型草菇新菌株的诱变方法,其特征在于步骤(2)所述紫外光线采用15W紫外灯管,所述紫外灯管距离草菇菌丝块30cm,照射时间为50min。

5.根据权利要求1所述低温型草菇新菌株的诱变方法,其特征在于步骤(3)或步骤(4)所述草菇菌丝体薄块大小为0.1×0.1cm。

6.根据权利要求1所述低温型草菇新菌株的诱变方法,其特征在于步骤(3)所述0℃低温处理时间为36~48h。

7.根据权利要求1所述低温型草菇新菌株的诱变方法,其特征在于步骤(3)所述正常培养温度为28~33℃。

8.根据权利要求1所述低温型草菇新菌株的诱变方法,其特征在于步骤(4)所述重复筛选次数为3~6次。

9.权利要求1~8任一项所述低温型草菇新菌株的诱变方法的应用,其特征在于应用于金针菇、杏鲍菇或平菇的诱变育种方面。

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