[发明专利]半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，包括：

具有主表面的半导体衬底，所述主表面具有边缘；

多个I/O单元，沿所述主表面的边缘布置成行；

所述多个I/O单元的每一个包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，

所述第一MOS晶体管和所述主表面的边缘之间的最短距离小于所述第二MOS晶体管和所述主表面的边缘之间的最短距离；

键合焊盘，布置在所述主表面之上，

在平面图中所述键合焊盘由所述多个I/O单元中的每个中的所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管交叠；

第一导线，布置在所述键合焊盘之下，在平面图中所述键合焊盘由所述第一导线交叠；

第一导电塞，布置在所述键合焊盘和所述第一导线之间，

所述第一导电塞连接所述键合焊盘和所述第一导线；

第二导线，布置在所述键合焊盘之下，在平面图中所述键合焊盘由所述第二导线交叠；

第二导电塞，布置在所述键合焊盘和所述第二导线之间，所述第二导电塞连接所述键合焊盘和所述第二导线；

其中所述键合焊盘分别经由所述第一导线和所述第二导线电耦合到所述第一MOS晶体管以及所述第二MOS晶体管，

其中在平面图中所述第一导电塞和所述第一导线位于所述第一MOS晶体管和所述主表面的边缘之间，

其中在平面图中所述第二导电塞和所述第二导线比所述第二MOS晶体管距离所述主表面的边缘更远。

2.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中所述第一导电塞和所述第一导线不由所述第一MOS晶体管交叠，

其中所述第二导电塞和所述第二导线不由所述第二MOS晶体管交叠。

3.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中所述I/O单元包括：

第一二极管元件，用于保护所述第一MOS晶体管；

第一保护电阻元件，耦合于所述第一MOS晶体管和所述第一二极管元件之间；

第二二极管元件，用于保护所述第二MOS晶体管；

第二保护电阻元件，耦合于所述第二MOS晶体管和所述第二二极管元件之间。

4.根据权利要求3的半导体集成电路器件，其中所述第一MOS晶体管是n沟道型MOS，

其中所述第二MOS晶体管是p沟道型MOS晶体管。

5.根据权利要求4的半导体集成电路器件，其中所述I/O单元包括：

预缓冲器，用于基于要输出的数据来驱动所述p沟道型MOS晶体管和所述n沟道型MOS晶体管。

6.根据权利要求1的半导体集成电路器件，还包括：

从外部电路被供应工作电源的电源单元；

电源键合焊盘，形成在所述电源单元之上；

电源引出区域，用于将所述电源单元电耦合到所述电源键合焊盘，

其中所述电源单元包括保护元件，用于保护电路免受电涌，

其中在所述保护元件中，耦合到所述电源线的一个保护元件设置于所述电源线的附近。