[发明专利]形成集成电路结构的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，包含：

提供一半导体基板；

提供一第一微影掩模、一第二微影掩模、及一第三微影掩模；

形成一第一掩模层于该半导体基板上，其中该第一掩模层的一图案利用该第一微影掩模所定义出；

借由该第一掩模层对该半导体基板进行一第一蚀刻以定义出一有源区域；

形成一第二掩模层于该半导体基板及该有源区域上，其中该第二掩模层的一图案利用该第二微影掩模所定义出，且该第二掩模层包含多个彼此平行的掩模带；

形成一第三掩模层于该第二掩模层之上，其中该第三掩模层的一图案利用该第三微影掩模所定义出，且所述多个掩模带一中央部分被一该第三掩模层的一开口所暴露出，而所述多个掩模带的末端部分被该第三掩模层所遮蔽；以及

借由该第三掩模层的开口对该半导体基板进行一第二蚀刻。

2.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，在该第二蚀刻步骤后，直接位于所述多个掩模带的中央部分的该部分有源区域形成多个个鳍片，且该被第三掩模层所覆盖的有源区域的末端部分形成源极/漏极接触焊盘于该鳍片的两侧，且该源极/漏极接触焊盘与该鳍片构成一连续的区域。

3.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中该第一掩模层为一硬掩模，该硬掩模包含：

一非晶碳层；

一氧化层位于该非晶碳层上；以及

一氮氧化层位于该氧化层上。

4.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中该形成该第二掩模层的步骤包含：形成一虚置硬掩模层；

图形化该虚置硬掩模层产生虚置带；

形成一间隔层于该虚置带的上表面及侧壁之上；

移除直接位于该虚置带上表面的部分间隔层；以及

移除该虚置带，其中位于该虚置带侧壁的部分该间隔层是未被移除的，以形成所述多个掩模带。

5.一种形成集成电路结构的方法，包含

提供一半导体基板；

对该半导体基板进行一第一蚀刻以形成多个第一沟槽，其中该半导体基板的一区域借由该第一沟槽定义成一有源区域；

将一第一介电材料填入该第一沟槽；

形成多个彼此平行的掩模带直接于该有源区域之上；

以一掩模层覆盖所述多个掩模带的末端部分，其中所述多个掩模带的一中央部分未被该掩模层所覆盖；

借由所述多个掩模带的中央部分及该掩模层对该有源区域进行一第二蚀刻以形成多个第二沟槽，其中直接位于所述多个掩模带的中央部分的该部分有源区域形成多个个鳍片。

6.如权利要求5所述的形成集成电路结构的方法，在进行该第二蚀刻步骤前，更包含：

形成一额外的掩模层于该半导体基板上；以及

图形化该额外的掩模层以形成该第一沟槽，其中形成该额外的掩模层的步骤包含：

形成一非晶碳层；

形成一氧化层位于该非晶碳层上；以及

形成一氮氧化层位于该氧化层上。

7.如权利要求5所述的形成集成电路结构的方法，其中该形成所述多个掩模带的步骤包含：

形成一虚置硬掩模层；

图形化该虚置硬掩模层产生虚置带；

形成一间隔层于该虚置带的上表面及侧壁之上；

移除直接位于该虚置带上表面的部分间隔层；以及

移除该虚置带，其中位于该虚置带侧壁的部分该间隔层是未被移除的，以形成所述多个掩模带。

8.如权利要求5所述的形成集成电路结构的方法，其中该掩模层包含一开口，由该开口露出所述多个掩模带的中央部分，且在由该第三掩模层侧的俯视图中，该开口与所述多个掩模带交叉。

9.一种形成集成电路结构的方法，包含：

提供一半导体基板；

形成一绝缘层于该半导体基板上；

形成一第一硬掩模于该绝缘层；

对该第一硬掩模及该绝缘层进行一第一图形化步骤以形成多个彼此平行的第一沟槽，其中部分该半导体基板经由所述多个第一沟槽被露出；

将一第二硬掩模填入所述多个第一沟槽中；

图形化该第一硬掩模以露出部分该绝缘层；

移除部分由该第一硬掩模所露出的绝缘层直到露出该半导体基板，形成第二沟槽；

移除该第一硬掩模及该第二硬掩模；以及

由该半导体基板所露出的部分外延生长一半导体材料。

10.如权利要求9所述的形成集成电路结构的方法，其中该半导体材料包含半导体鳍片于该第一多个沟槽中、及源极/漏极接触焊盘于该第二沟槽中，其中该半导体鳍片的两侧与该源极/漏极接触焊盘相连。