[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

提供一半导体基板；

于该半导体基板中形成一沟槽，其中该沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且该沟槽的一侧面具有一第二结晶面方向；以及

进行一外延工艺，于该沟槽中生长一半导体材料，其中该外延工艺利用一蚀刻成分，且其中该第一结晶面方向上的一第一生长速率不同于该第二结晶面方向的一第二生长速率。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该半导体材料包括硅、硅锗、锗、碳化硅或三-五族化合物半导体的其中之一，且其中该三-五族化合物半导体包括砷化镓或锑化铟的其中之一，且其中该半导体基板包括硅或锗的其中之一。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻成分包括含氯气体或含溴气体的其中之一。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一结晶面方向包括[100]，且其中该第二结晶面方向包括[110]或[111]的其中之一。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一生长速率大于该第二生长速率。

6.一种半导体装置，包括：

一半导体基板；以及

一晶体管，包括：

一栅极结构，设置于该半导体基板上方；以及

一应力物，形成于该半导体基板中，该应力物由一外延层形成，该外延层利用一由下而上生长工艺形成，以使该外延层的一侧面无错位缺陷。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该应力物具有与该半导体基板的一第一结晶面方向连接的一底面，和与该半导体基板的一第二结晶面方向连接的一侧面，且其中该第一结晶面方向包括[100]，且其中该第二结晶面方向包括[110]或[111]的其中之一。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中该外延层包括锗，且其中该晶体管包括一P型金属氧化物半导体晶体管。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该晶体管包括一鳍状场效应晶体管，且其中该应力物为一鳍状物的一部分。

10.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

提供一半导体基板；

于该半导体基板中形成一沟槽，其中该沟槽的一第一表面具有一第一结晶面方向，且该沟槽的一第二表面具有一第二结晶面方向；以及

进行一外延生长工艺，于该沟槽中生长一半导体材料，其中该外延生长工艺包含一蚀刻成分，且其中该第一结晶面方向上的一第一生长速率不同于该第二结晶面方向的一第二生长速率，以使该蚀刻成分禁止于该第一结晶面方向和该第二结晶面方向上的其中之一生长。