[发明专利]大尺寸掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效
申请号: | 201010514569.1 | 申请日: | 2010-10-21 |
公开(公告)号: | CN101956236A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 方双全 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00;C30B33/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 尺寸 掺杂 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种光学晶体,特别是一种大尺寸掺杂铌酸锂晶体(LiNbO3)。本发明还涉及一种大尺寸掺杂铌酸锂晶体的制备方法。
背景技术
LiNbO3是一种集压电、热电、铁电、电光、声光、光弹、非线性、光折变及激光活性等多种效应于一身的人工晶体,实施不同掺杂后能呈现出各种各样的特殊性能,是至今人们所发现的光子性能最多、综合指标最好的晶体。LN晶体具有十分广阔的市场应用前景,其在工程领域已得到广泛应用,用它制作的器件有声表面波器件、高频高能换能器、红外探测器、激光调制器、激光倍频器、光学参量振荡器、无线电高频带通滤波器、延迟线、光放大器、光开关、光学存储器和光波导器件等。
众所周知,晶体的尺寸越大,制备的电子元器件集成度也越高,所以生长大尺寸的铌酸锂晶体具有很强的工程应用价值。但同时,由于LiNbO3是在高温下通过熔盐法制备的,晶体尺寸越大,残余热应力也就相应变大,容易导致晶体开裂。目前报道的未掺杂铌酸锂晶体尺寸已达到200mm。在实际应用领域,为了满足对特定功能的需求,必须对LiNbO3进行掺杂改性,如掺入铁、锰、铜、铈等离子能改善其光折变性能,掺入锌、镁、铟、钪等离子能提高其抗光致散射性能,掺入稀土元素如铒、镱、镨等能得到激光晶体。掺杂离子一方面能显著改善晶体的某些性能,但同时又引起晶体产生很大的结构畸变,在生长过程中也容易引起晶体开裂,所以大尺寸掺杂LiNbO3的制备就变得十分困难。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶体直径大,无明显宏观缺陷,光学均匀性较好的大尺寸掺杂铌酸锂晶体。本发明的目的还在于提供一种大尺寸掺杂铌酸锂晶体的制备方法。
本发明的目的是这样实现的:
本发明的大尺寸掺杂铌酸锂晶体是由Li2CO3与Nb2O5高纯粉末及掺杂剂,通过提拉法从熔盐中制备得到。
所述Li2CO3与Nb2O5高纯粉末原料采用同成份配比,即[Li2CO3]/[Nb2O5]=48.6/51.4。
所述掺杂剂加入量分别为:光折变介质Fe、Mn、Cu或Ce掺入量为0.01-0.1wt.%;抗光致散射介质MgO掺入量1-6mol%、ZnO掺入量1-7mol%、In2O3掺入量0.5-3mol%或Sc2O3掺入量0.5-3mol%;Er、Yb或Pr稀土元素掺入量0.1-1wt.%。
本发明的大尺寸掺杂铌酸锂晶体的制备方法为:
1、按照Li2CO3/Nb2O5=48.6/51.4;掺杂剂加入量分别为:光折变介质Fe、Mn、Cu或Ce掺入量为0.01-0.1wt.%,抗光致散射介质MgO掺入量1-6mol%、ZnO掺入量1-7mol%、In2O3掺入量0.5-3mol%或Sc2O3掺入量0.5-3mol%,Er、Yb或Pr稀土元素掺入量0.1-1wt.%;充分混合均匀后放在铂金坩埚内,首先在650-700℃下恒温2个小时,使CO2从Li2CO3中慢慢分解掉;
2、接下来升温到1100-1200℃,恒温3小时,使Nb2O5与Li2O充分进行固相反应,合成出LiNbO3多晶料;
3、利用中频加热合成的LiNbO3多晶料,利用提拉法,按引晶、放肩、等径生长、拉脱和退火过程生长大尺寸掺杂铌酸锂晶体,温度梯度5-10℃/cm,提拉速度1-1.5mm/小时,旋转速度2-4rpm/min;
4、对生长的LiNbO3进行极化处理,极化温度1200℃,极化电流为5mA/cm2,通电时间30分钟,然后退火,得到单畴化大尺寸掺杂LiNbO3晶体。
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