[发明专利]基板液体处理装置以及基板液体处理方法有效
申请号: | 201010513671.X | 申请日: | 2010-10-15 |
公开(公告)号: | CN102044412A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 田中裕司;南辉臣;川渕洋介;伊藤规宏;上村史洋;薮田贵士;小佐井一树;乌野崇;关口贤治;藤井康 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板液体处理装置,用于对基板实施液体处理,其特征在于,具有:
基板保持单元,其保持基板;
第一处理液喷出单元,其向由基板保持单元保持的基板的电路形成面喷出处理液;
第二处理液喷出单元,其向由基板保持单元保持的基板的电路形成面的相反面喷出处理液;以及
控制单元,其对上述基板保持单元以及上述第一处理液喷出单元和上述第二处理液喷出单元进行控制,
其中,上述控制单元进行控制使得进行以下工序:
液体处理工序,从上述第一处理液喷出单元向基板的电路形成面喷出用于对基板进行液体处理的基板处理药液作为处理液,利用基板处理药液对基板的电路形成面进行处理;以及
除电处理工序,在上述液体处理工序之前,从上述第二处理液喷出单元向基板的电路形成面的相反面喷出用于使基板带有的电荷释放出来的除电处理液作为处理液,利用除电处理液对基板进行处理。
2.根据权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于,
上述控制单元进行控制使得在上述除电处理工序之前进行预备处理工序,在该预备处理工序中,一边转动上述基板保持单元一边从上述第一处理液喷出单元和上述第二处理液喷出单元向基板喷出纯水作为处理液,来在基板的表面形成纯水的液膜。
3.根据权利要求2所述的基板液体处理装置,其特征在于,
上述纯水的电导率低于上述除电处理液的电导率。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板液体处理装置,其特征在于,
上述除电处理液是电导率与对基板的电路形成面进行处理的上述基板处理药液的电导率相比相同或者较高的处理液。
5.根据权利要求4所述的基板液体处理装置,其特征在于,
上述除电处理液是用于对基板的电路形成面进行处理的上述基板处理药液。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板液体处理装置,其特征在于,
在上述液体处理工序之后,将用于对基板进行清洗处理的清洗液与气体进行混合作为处理液,并从上述第二处理液喷出单元向基板雾状地喷出该处理液。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板液体处理装置,其特征在于,
利用导电性材料形成上述基板保持单元的与基板接触来保持基板的基板保持体,并将该基板保持体电性接地。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板液体处理装置,其特征在于,
利用导电性材料来形成上述第一处理液喷出单元和/或上述第二处理液喷出单元的喷出处理液的处理液喷出管,并将该处理液喷出管电性接地。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的基板液体处理装置,其特征在于,
还具有将基板输送到上述基板保持单元的基板输送单元,在基板输送单元上设置与基板接触来保持基板的保持体,利用导电性材料形成该保持体,并将该保持体电性接地。
10.一种基板液体处理方法,进行利用基板处理药液对基板的电路形成面进行液体处理的液体处理工序,该基板液体处理方法的特征在于,
在上述液体处理工序之前进行除电处理工序,在该除电处理工序中,通过利用除电处理液对基板的电路形成面的相反面进行处理来从基板的电路形成面的相反面释放出基板带有的电荷。
11.根据权利要求10所述的基板液体处理方法,其特征在于,
在上述除电处理工序之前进行预备处理工序,在该预备处理工序中,一边转动基板一边向基板的电路形成面和基板的电路形成面的相反面喷出纯水作为处理液,来在基板的表面形成纯水的液膜。
12.根据权利要求11所述的基板液体处理方法,其特征在于,
上述纯水的电导率低于上述除电处理液的电导率。
13.根据权利要求10至12中的任一项所述的基板液体处理方法,其特征在于,
上述除电处理液是电导率与对基板的电路形成面进行处理的上述基板处理药液的电导率相比相同或者较高的处理液。
14.根据权利要求13所述的基板液体处理方法,其特征在于,
上述除电处理液是用于对基板的电路形成面进行处理的上述基板处理药液。
15.根据权利要求10至14中的任一项所述的基板液体处理方法,其特征在于,
在上述液体处理工序之后,将用于对基板进行清洗处理的清洗液与气体进行混合作为处理液,并从第二处理液喷出单元向基板的电路形成面的相反面雾状地喷出该处理液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造