[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造方法，尤其涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。

背景技术

很多发光二极管(Light Emitting Diode，LED)封装结构都包括一个反射杯结构，封装材料填充在该反射杯内。在发光二极管封装结构的制造过程中，包括一个切割的步骤，将形成于整块基板上的很多个发光二极管封装结构切割开来。一般此切割过程往往采用机械切割的方式，在切割的过程中，由于切割的刀刃和基板的摩擦会产生大量的热，通常还需要在切割的同时浇注大量的冷却液帮助降温，避免元件因高温而被破坏。然而，封装结构中反射杯与封装材料之间往往会产生缝隙，这些降温用的冷却液容易在切割的过程中通过封装结构中反射杯与封装材料之间的缝隙渗透进封装体内，从而导致元件的损坏。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种能够避免冷却液渗透进封装体内的发光二极管封装结构的制造方法。

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供基板，包括多个封装载体，每个封装载体上有两个导线架，封装载体包括第一表面，该第一表面上形成有一容置槽，容置槽由一底壁和一侧壁围成；

将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部，并与所述两个导线架电性连接；

在所述容置槽内形成封装层；

在所述封装载体和封装层上覆盖一疏水层；

切割所述基板，形成多个所述发光二极管封装结构。

发光二极管封装结构的制造方法中，由于在切割基板之前在封装载体和封装层上覆盖了一疏水层，该疏水层能够有效的阻挡切割时浇注的冷却液通过封装结构的缝隙渗透进封装体内，从而有效的保护封装结构。

附图说明

图1是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法流程图。

图2是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法示意图。

主要元件符号说明

发光二极管封装结构          100

基板                        10

封装载体                    11

第一表面                    111

第二表面                    112

容置槽                      113

底壁                        114

侧壁                        115

导线架                      12

发光二极管芯片              13

金属导线                    131

封装层                      14

疏水层                      15

具体实施方式

以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。

请参阅图1及图2，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法包括以下步骤。

步骤S201：提供一基板10。所述基板10包括多个封装载体11，每个封装载体11上有两个导线架12。所述封装载体11包括相对的第一表面111及第二表面112。该第一表面111上形成有一容置槽113。所述容置槽113由底壁114和侧壁115围成。所述底壁114和侧壁115可为一体成型或采用粘胶等方式固接，本实施方式中，所述底壁114和侧壁115一体成型。所述封装载体11可采用高导热且电绝缘材料制成，该高导热且电绝缘材料可选自石墨、硅、陶瓷、类钻、环氧树脂或硅烷氧树脂等。所述每个导线架12一端裸露在容置槽113的底壁114上，另一端裸露在封装载体11的第二表面112上。所述导线架12可采用金属或金属合金制成。

步骤S202：将发光二极管芯片13贴设于所述容置槽113的底壁114上或导线架12上。具体地，该发光二极管芯片13可通过粘着胶固定于容置槽113的底壁114或导线架12上。所述发光二极管芯片13通过金属导线131与所述两个导线架12电性连接。值得说明的是，该发光二极管芯片13亦可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式电性连接所述两个导线架12。优选地，所述侧壁115能够反射发光二极管芯片13发出的光线，以控制发光二极管芯片13的出光方向。