[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法无效
| 申请号： | 201010513337.4 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102456802A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 江信东;简克伟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供基板，包括多个封装载体，每个封装载体上有两个导线架，所述封装载体包括第一表面，该第一表面上形成有容置槽，所述容置槽由一底壁和一侧壁围成；
将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部，并与所述两个导线架电性连接；
在所述容置槽内形成封装层；
在所述封装载体和封装层上覆盖一疏水层；
切割所述基板，形成多个所述发光二极管封装结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述疏水层为不透明材料，在切割完成之后，去除所述疏水层。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：利用研磨、蚀刻的方法去除所述疏水层。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述疏水层为透明材料，切割完成之后，保留所述疏水层。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：切割所述基板时，采用刀具进行切割。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装载体还包括有一个与第一表面相对的第二表面，所述导线架一端裸露在所述容置槽的底壁上，另一端裸露在封装载体的第二表面上。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述发光二极管芯片贴设于所述容置槽底部的导线架上。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述发光二极管芯片利用金属导线连接、覆晶或共晶的方式电性连接所述两个导线架。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装层的材质为硅胶或环氧树脂。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述封装层包含荧光转换材料。
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