[发明专利]汽相沉积装置和使用其制造有机发光显示装置的方法有效
| 申请号: | 201010512357.X | 申请日: | 2010-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN102108500A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
| 发明(设计)人: | 罗兴烈;郑珉在;李吉远 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 沉积 装置 使用 制造 有机 发光 显示装置 方法 | ||
技术领域
示例性实施例涉及汽相沉积(vapor deposition)装置。更具体地,示例性实施例涉及具有用于将升华的汽相沉积源移动到对象的改进的载气供给结构的汽相沉积装置,以及使用汽相沉积装置制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
在制造有机发光显示装置的薄膜,如薄膜晶体管(TFT)的方法中,汽相沉积设备可以用于升华汽相沉积源,并用于将升华的汽相沉积源附着到汽相沉积对象,例如基板上。汽相沉积设备可以包括装有汽相沉积源的罐、用于对罐进行加热的加热器和例如位于室中的、用于汽相沉积对象的支撑件。不过,由于各种实际状况,在汽相沉积装置的罐中可能发生湍流,在罐内的部分之间可能出现大的温差,并且在汽相沉积装置的汽相沉积对象上可能导致不均匀的沉积。
发明内容
实施例致力于汽相沉积装置和使用该汽相沉积装置制造有机发光显示装置的方法,能够基本克服由于相关技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
因此实施例的一特征在于提供具有能够防止罐中的湍流的结构的汽相沉积装置。
因此实施例的另一特征在于提供具有能够减小罐内的部分之间的温差的结构的汽相沉积装置。
实施例的再一特征在于提供一种使用具有上述特征中的一个或多个的汽相沉积装置制造有机发光显示装置的方法。
至少一个上述和其它特征和优点可以通过提供一种汽相沉积装置来实现,该汽相沉积装置包括:被配置为容纳汽相沉积源的罐,所述罐包括彼此相对的气体入口和气体出口;被配置为对所述罐进行加热的加热器;与所述罐流体连通的室,所述室被配置为容纳汽相沉积对象;以及载气供给单元,被配置为将载气供给到所述罐中。
所述载气供给单元可以包括位于所述罐内的旋管(coil),用于引导所述载气,使得所述载气在通过所述气体入口被注入所述罐中之前在所述旋管中流通。所述旋管可以具有螺旋形。所述旋管可以具有向所述气体入口逐渐减小的直径。所述旋管可以是热交换器。整个旋管可以位于所述罐内。所述旋管可以连接在所述气体入口和载气储存单元之间。所述载气可以包括氩(Ar)气。所述汽相沉积源可以为粉末状态。所述气体入口和所述气体出口可以沿穿过所述罐的同一轴被对准。所述气体入口和所述气体出口可以位于所述罐的相对侧上。
至少一个上述和其它特征和优点还可以通过提供一种制造有机发光显示装置的方法来实现,该方法包括:将汽相沉积源放入罐中,所述罐包括彼此相对的气体入口和气体出口;将汽相沉积对象放入室中,所述室与所述罐流体连通;使用加热器对所述罐进行加热,使得所述汽相沉积源被升华;由载气供给单元通过所述气体入口将载气注入所述罐中,使得所述载气携带着所升华的汽相沉积源通过所述气体出口进入所述室中,以被沉积到所述汽相沉积对象上;并且在所述汽相沉积对象上沉积所述汽相沉积源后,使用所述汽相沉积对象作为所述有机发光显示装置中的薄膜晶体管的半导体层。
至少一个上述和其它特征和优点还可以通过提供一种制造有机发光显示装置的方法来实现,该方法包括:准备包括彼此相对布置的载气的气体入口和气体出口的罐;准备通过所述气体出口连接至所述罐的室;将待用作TFT的半导体层的非晶硅布置在室中;将待沉积在所述非晶硅上的金属催化剂粉末填充到所述罐中;通过对所述罐加热来使所述金属催化剂粉末升华;通过将载气通过所述载气的所述气体入口注入,并将所述载气上携带的升华的金属催化剂粉末通过所述气体出口移动到所述室,将所升华的金属催化剂粉末沉积到所述非晶硅的表面上;并且通过使沉积的金属催化剂弥散到所述非晶硅中并在所述非晶硅中被结晶化这样的方式执行热退火。该方法可以进一步包括:引导所述载气通过旋管,使得所述载气在通过所述气体入口被注入所述罐中之前在所述罐内流通。
附图说明
对本领域普通技术人员来说,上述和其它特征及优点通过参考附图对示例性实施例进行的具体描述将变得更加清楚,附图中:
图1示出根据一实施例的汽相沉积装置的示意图;
图2示出根据一实施例的汽相沉积装置中的旋管的放大透视图;并且
图3示出根据一实施例的使用汽相沉积装置制造的有机发光显示装置的截面图。
具体实施方式
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





