[发明专利]应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法有效
| 申请号： | 201010511407.2 | 申请日： | 2010-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102456540A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王雷;孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;G03F1/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 外延 工艺 中的 光刻 标记 制备 方法 | ||
1.一种应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法，所述光刻套刻标记包括外延生长前的被对准层图形和外延生长后的对准层图形，其特征在于：根据外延时一维图形的生长速度和二维图形的生长速度的差异，在被对准层图形的光刻掩膜版的四角对称地增加或减掉具有补偿生长速度差异的补偿图形。
2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述被对准图形为凹陷图形时，当外延时一维图形的生长速度大于二维图形的生长速度，光刻工艺定义被对准层图形时，所使用的光刻掩膜版为原有的被对准层图形光刻掩膜版的四角对称地减掉一补偿图形后的图形；当外延时一维图形外延的生长速度小于二维图形外延的生长速度，光刻工艺定义被对准层图形时，为在原有的被对准层图形光刻掩膜版的四角对称地增加一补偿图形后的图形。
3.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述被对准图形为凸起图形时，当外延时一维图形的生长速度大于二维图形的生长速度，光刻工艺定义被对准层图形时，所使用的光刻掩膜版为原有的被对准层图形光刻掩膜版的四角对称地增加一补偿图形后的图形；当外延时一维图形外延的生长速度小于二维图形外延的生长速度，光刻工艺定义被对准层图形时，为在原有的被对准层图形光刻掩膜版的四角对称地减掉一补偿图形后的图形。
4.按照权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于：所述补偿图形的形状、尺寸和不同厚度的外延生长工艺之间的对应关系，通过试验根据补偿外延生长畸变的结果得出。
5.按照权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述补偿图形为45度角直角三角形，正方形或1/4扇形。
6.按照权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述补偿图形的尺寸大小由外延生长中两种图形的生长速度差决定。
7.按照权利要求1至3中的任一项权利要求所述的制备方法，其特征在于：所述被准层图形为光刻套刻标记的外框，或为光刻套刻标记的内框。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
