[发明专利]双重图形化方法

权利要求书

1.一种双重图形化方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有第一掩膜层与第二掩膜层；

各向异性刻蚀所述第一掩膜层与第二掩膜层，在所述第一掩膜层与第二掩膜层中形成第一开口，所述第一开口露出衬底表面；

侧向部分刻蚀所述第二掩膜层；

在所述衬底上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层覆盖第一掩膜层，并使得第二掩膜层露出；

移除所述第二掩膜层，在第三掩膜层中形成第二开口，所述第二开口使得第一掩膜层露出；

以第三掩膜层为掩膜，各向异性刻蚀第二开口下方的第一掩膜层直至露出衬底；

移除所述第三掩膜层。

2.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，采用化学气相淀积或物理气相淀积在所述衬底上依次形成第一掩膜层与第二掩膜层。

3.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括：多晶硅、非晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属、金属氧化物、金属氮化物或非晶碳。

4.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第二掩膜层包括：多晶硅、非晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属、金属氧化物、金属氮化物或非晶碳。

5.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述侧向部分刻蚀所述第二掩膜层的深度为10纳米至50纳米。

6.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述侧向部分刻蚀所述第二掩膜层包括：采用各向同性干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺部分刻蚀所述第二掩膜层。

7.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第三掩膜层包括：多晶硅、非晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属、金属氧化物、金属氮化物或非晶碳。

8.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第三掩膜层的厚度为20纳米至300纳米。

9.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述移除所述第二掩膜层，在第三掩膜层中形成第二开口，所述第二开口使得第一掩膜层露出包括：采用各向同性的干法刻蚀或湿法刻蚀工艺移除所述第二掩膜层。

10.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层覆盖第一掩膜层，并使得第二掩膜层露出包括：

在所述衬底上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层的厚度超过第二掩膜层顶部；

回刻所述第三掩膜层直至露出第二掩膜层。

11.如权利要求10所述的双重图形化方法，其特征在于，所述回刻所述第三掩膜层直至露出第二掩膜层包括：采用化学机械抛光、干法刻蚀或湿法刻蚀工艺回刻所述第三掩膜层。

12.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第二掩膜层侧向部分刻蚀后的宽度与第一开口的宽度相同。

13.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第一掩膜层采用氧化硅，所述第二掩膜层采用氮化硅，所述第三掩膜层采用非晶碳。

14.如权利要求1所述的双重图形化方法，其特征在于，所述第一掩膜层采用氮化硅，所述第二掩膜层采用多晶硅，所述第三掩膜层采用非晶碳。