[发明专利]倒装LED芯片的封装结构及其封装方法

说明书

技术领域：

本发明涉及LED技术领域，特指倒装LED芯片的封装结构及其封装方法。

背景技术：

LED是一种半导体发光器件，被广泛的用做指示灯、显示屏等。白光LED被誉为替代荧光灯和白炽灯的第四代照明光源。LED改变了白炽灯钨丝发光与荧光灯三基色粉发光的原理，利用电场发光，具有光效高、无辐射、寿命长、低功耗和环保的优点。形成白光LED的一种传统方式是蓝光或紫外芯片激发覆着在芯片上面的荧光粉，芯片在电驱动下发出的光激励荧光粉产生其它波段的可见光，各部分混色形成白光。对于LED封装而言，散热是个关键技术问题，散热技术的效果的好坏将直接影响到LED的性能。现有的倒装LED芯片的封装结构多使用陶瓷基板或碳化硅与LED芯片进行共晶处理，但LED芯片工作时产生的热量是透过共晶部位再将热量传导至陶瓷基板或碳化硅，散热效率低，光衰高，光通量少，封装结构工艺复杂。

发明内容：

本发明的目的就是针对现有技术存在的不足而提供一种增加散热效率并且封装结构工艺简单的倒装LED芯片的封装结构，还提供了这种倒装LED芯片的封装方法。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

倒装LED芯片的封装结构，它包括有LED芯片、散热基板，散热基板的前端面上粘合有荧光胶，LED芯片连接在散热基板背面的电极上并进行共晶处理，LED芯片与荧光胶的位置相对应。

所述荧光胶由荧光粉和胶水混合成荧光胶水经烤干后制成。

本发明还提供了倒装LED芯片的封装方法，包括以下步骤：

A、烘烤散热基板去除水气；

B、对散热基板电浆表面处理；

C、在荧光粉中加入胶水混合，制成荧光胶水；

D、将荧光胶水以点胶的方式点至散热基板的前端面上；

E、预烤；

F、将LED芯片置于基板背面的电极上；

G、将LED芯片与散热基板一起进行共晶处理；

H、后烤。

其中，步骤E中所述的预烤具体为：在100～150℃温度下烘烤20～30分钟。

其中，步骤H中所述的后烤具体为：在200～250℃温度下烘烤20～30分钟。

本发明有益效果在于：本发明包括有LED芯片、散热基板，散热基板的前端面上粘合有荧光胶，LED芯片连接在散热基板背面的电极上并进行共晶处理，LED芯片与荧光胶的位置相对应，本发明将LED芯片置于基板背面的电极上并与散热基板一起进行共晶处理，散热基板可将来自共晶部位的热量快速导出，进而降低光衰及增加光通量，并且封装结构简单，简化了封装工艺。

附图说明：

图1是本发明的结构示意图。

具体实施方式：

下面结合附图对本发明作进一步的说明，见图1所示，倒装LED芯片的封装结构包括有LED芯片1、散热基板2，散热基板2的前端面上粘合有荧光胶3，LED芯片1连接在散热基板2背面的电极4上并进行共晶处理，LED芯片1与荧光胶3的位置相对应。

所述荧光胶3由荧光粉和胶水混合成荧光胶3水经烤干后制成。本发明的荧光粉与LED芯片1之间用胶水等材料隔开，使得荧光粉和LED芯片1两部分热量相分离，提高散热效果。

采用上述封装结构的倒装LED芯片1的封装方法，包括以下步骤：

1、烘烤散热基板2去除水气；

2、对散热基板2电浆表面处理；

3、在荧光粉中加入胶水混合，制成荧光胶3水；

4、用点胶机将荧光胶3水以点胶的方式点至散热基板2的前端面上的特定位置处；

5、预烤：在100～150℃温度下烘烤20～30分钟；

6、用精密取放机将LED芯片1置于基板背面的电极4上；

7、用共晶机将LED芯片1与散热基板2一起进行共晶处理；

8、后烤：在200～250℃温度下烘烤20～30分钟；

9、光学检查。

本发明将LED芯片1置于基板背面的电极4上并与散热基板2一起进行共晶处理，散热基板2可将来自共晶部位的热量快速导出，进而降低光衰及增加光通量，可使倒转芯片LED光通量有效增加10～20％，并有效改善其光衰测试结果，并且封装结构简单，简化了封装工艺。

当然，以上所述仅是本发明的较佳实施方式，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。