[发明专利]一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法有效
申请号: | 201010508102.6 | 申请日: | 2010-10-15 |
公开(公告)号: | CN102005502A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 党继东;黄清;辛国军;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 太阳能电池 扩散 均匀 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制造太阳能电池的扩散制结工艺,具体涉及一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法。
背景技术
太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的器件,由于其清洁、无污染,取之不尽,用之不竭,受到越来越多的关注。
目前广泛采用的是硅太阳能电池,其制造工艺也已经标准化,主要步骤为:化学清洗及表面结构化处理(制绒)-扩散制结-周边刻蚀-沉积减反射膜-印刷电极-烧结。其中,扩散制结分为磷扩散与硼扩散,在使用P型硅片制备太阳能电池的情况下,需要在硅片表面进行磷扩散形成N层,而最终形成PN结,相反,若使用N型硅片制备时,则需要在硅片表面进行硼扩散来形成PN结。
通常以磷扩散制结,该步骤是整个制备过程中的一个关键步骤,其质量会直接影响到电池的光电转换效率,在工业化生产中,典型的结制备分为两步:第一步用氮气通过液态的三氯氧磷(POCL3),将所需要的杂质(磷)用载流气体(氮、氧)输运至高温半导体材料表面(硅),杂质扩散深度约为几百个纳米;第二步是高温处理(即驱入处理),使预淀积在表面的杂质原子继续向基体深处扩散,这样就形成了一个N+/N层,这样的结构有利于后电极的制备。
扩散制结所使用的设备最常见的有扩散炉,在实际生产中,扩散炉的温度控制一般是由几个加热线圈分段同时控制,由于管内不同位置气氛环境等差异的存在(通入气体均匀度差异),若炉内温度一致,即造成制备出的电池片性能不一致。通常采用温度补偿的方式来控制整管的方块电阻,即通过分段控制加热线圈,使扩散炉各温区扩散温度不一致,来弥补环境差异。然而,采用这一方式,工艺各步骤之间的界限并不分明,且一个扩散炉一次性扩散的硅片分散在各个温区,造成了处于各温区的硅片的实际 扩散工艺参数存在较大差异,导致了方块电阻一致性差、重复性及稳定性差,进而影响最终的效率。
发明内容
本发明目的是提供一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法,使用该方法提高扩散工艺的稳定性重复性,改善整管及单片的扩散均匀性,有效提高太阳能电池的转换效率。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种改善太阳能电池磷扩散均匀性的方法,其步骤包括:
(1)将待处理硅片放于扩散炉中,炉内各区温度均升至700~780℃,各温区温差<5℃,炉内环境为均匀的氮气气氛,氮气流量8L/min~30L/min;
(2)待温度稳定后,同时通入携磷源气体,流量为0.8L/min~2L/min,及干氧,流量为0.4L/min~2.5L/min,且保证炉内气体环境均匀,扩散10~40分钟;
(3)停止通入携磷源气体源和干氧,同步均匀提升炉内各区温度,升温速率<5℃/min,升温至810~900℃,各温区温差<5℃,扩散10~40分钟;
(4)降温出舟,完成扩散过程。
上述技术方案中,所述步骤(1)中氮气流量为8L/min~20L/min。
上述技术方案中,所述步骤(2)中携磷源气体流量为0.8L/min~1.8L/min,同时通入干氧流量为0.6L/min~2L/min,进行扩散。
本发明的工作机理是:
1.扩散炉内各区温度保持一致(各温区温差<5℃),避免了不同区域温差引起扩散不均匀的问题;
2.通过合理调整合控制通入炉内各气体的比例、总量,以及出气排风量,保证扩散反应过程炉内气体均匀稳定,减少了炉内气流分布差异引起的扩散不均匀问题;
3.采用炉内温度从低到高,且升温速率<5℃/min,以确保炉内各区温度是同步等速升温,升温过程缓慢而又均匀,从而减小升温滞后效应引起的扩散不均匀问题。
从而使磷扩散均匀性得到明显提高。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
1、本发明采用扩散炉内各温区温度一致,且保持均匀气体环境,从而大大提高扩散均匀性、一致性及工艺重复性与稳定性:
①均匀性:(1)片间均匀性好:在各温区非常接近甚至完全相同的参数条件下,可将片间方块电阻不均匀度控制在较理想的范围;(2)片内均匀性好:明显改善片内均匀性,在国产设备上改善效果尤为显著。
②一致性好:(1)很大程度上统一了不同设备的工艺参数,解决了不同设备的一致性问题;(2)解决了因不同管别差异而引起的不一致问题;(3)解决了同一管不同位置的差异而引起的不一致问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的