[发明专利]一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：

1)在衬底上先形成一绝缘层，再淀积一多晶硅薄膜，并对该多晶硅薄膜进行掺杂，然后光刻和刻蚀形成多晶硅栅；

2)在多晶硅栅上采用高K材料形成栅介质层；

3)在栅介质层上淀积一SiGe薄膜；

4)对SiGe薄膜进行源漏掺杂；

5)光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜，在多晶硅栅两侧形成SiGe侧墙，同时在栅长方向上SiGe侧墙的两头分别形成源区和漏区；

6)对SiGe侧墙进行氧化，然后去掉表面形成的氧化层，得到Ge纳米线或Ge含量提高了的SiGe纳米线。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述绝缘层为二氧化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中采用低压化学气相沉积的方法形成多晶硅薄膜；采用离子注入或者原位掺杂的方法完成多晶硅薄膜的掺杂。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中所述高K材料是氧化铪、氧化锆或氮化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中采用原子层淀积技术生长高K材料形成栅介质层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)用外延方法生长厚度为20纳米～200纳米的SiGe薄膜。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)SiGe侧墙被氧化后，湿法腐蚀去掉表层形成的氧化层。