[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
申请号: | 201010505640.X | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102447040A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 胡必强;张超雄 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种封装结构,特别是发光二极管封装结构,还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术
相比于传统的发光源,发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点,其作为一种新型的发光源,已经被越来越多地应用到各领域当中,如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等等。
现有技术中为增加发光二极管的发光效率,通常在发光二极管封装结构的制作过程中会在发光二极管芯片周围形成反射层,而当使用金属作为反射层时反射效率比用非金属作为反射层高很多。然而使用金属直接作为反射层容易在芯片电性连接的过程中产生电性问题而导致制作过程复杂。
发明内容
有鉴于此,本发明旨在提供一种具有良好反射效率的发光二极管封装结构及其制造方法。
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:形成基板及在基板上形成电路结构;形成反射结构,该反射结构包括绝缘层、金属层和透明层,金属层位于绝缘层和透明层之间,反射结构内设有贯穿绝缘层、金属层和透明层的穿孔;将反射结构装设于基板上,其中绝缘层与基板相接;将发光二极管芯片固定于反射结构的穿孔内并电性连结于电路结构;形成封装层覆盖发光二极管芯片;以及切割基板形成多个发光二极管封装结构。
一种发光二极管封装结构,包括基板,设置于基板上的电路结构,装设于基板上的反射结构,装设于基板上并与电路结构电连接的若干发光二极管芯片,以及覆盖发光二极管芯片的封装层,所述反射结构包括绝缘层、金属层和透明层,金属层位于绝缘层和透明层之间,绝缘层与基板相接,所述反射结构具有贯穿绝缘层、金属层和透明层的穿孔,所述发光二极管芯片装设于该穿孔内。
采用依次为绝缘层、金属层和透明层构成的反射结构,能够利用具有高反射率的金属作为反射层起到增加反射效果的作用,还因为具有绝缘层,能够有效的避免发光二极管芯片连入电路时产生的不良电性问题,使制作过程简便。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤流程示意图。
图2为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤一得到的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图3为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤二得到的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图4为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤二得到的发光二极管封装结构的俯视示意图。
图5为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤三得到的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图6为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤四得到的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图7为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤五得到的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图8为本发明的发光二极管封装结构的制造方法步骤六得到的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图9为本发明另一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。
主要元件符号说明
基板 10
电路结构 12
反射杯 14
凹陷 16
反射结构 20、70
绝缘层 21、71
金属层 22、72
透明层 23、73
穿孔 24
小孔 25
外表面 26
容置区 27
发光二极管芯片 30
导线 32
封装层 40、80
荧光转换材料 42
发光二极管封装结构 50、60
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010505640.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种易散热LED筒灯
- 下一篇:一种新型金属管