[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010505640.X 申请日: 2010-10-14
公开(公告)号: CN102447040A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 胡必强;张超雄 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:

形成基板及在基板上形成电路结构;

形成反射结构,该反射结构包括绝缘层、金属层和透明层,金属层位于绝缘层和透明层之间,反射结构内设有贯穿绝缘层、金属层和透明层的穿孔;

将反射结构装设于基板上,其中绝缘层与基板相接;

将发光二极管芯片固定于反射结构的穿孔内并电性连结于电路结构;

形成封装层覆盖发光二极管芯片;以及

切割基板形成多个发光二极管封装结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述基板具有若干反射杯,反射杯与基板为一体成型或分开成型结构。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述反射结构的形状与反射杯的形状相对应,该反射结构与反射杯及基板烧结固定连接。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述反射结构还具有至少一小孔,利用固晶打线技术将发光二极管芯片电连接于电路结构,导线经由该至少一小孔与电路结构相连。

5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述发光二极管芯片利用覆晶或共晶技术与电路结构电连接。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述封装层包含荧光转换材料。

7.一种发光二极管封装结构,包括基板,设置于基板上的电路结构,装设于基板上的反射结构,装设于基板上并与电路结构电连接的发光二极管芯片,以及覆盖发光二极管芯片的封装层,其特征在于:所述反射结构包括绝缘层、金属层和透明层,金属层位于绝缘层和透明层之间,绝缘层与基板相接,所述反射结构具有贯穿绝缘层、金属层和透明层的穿孔,所述发光二极管芯片装设于该穿孔内。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述反射结构利用烧结技术与基板相连接。

9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于:还包括设于基板上的反射杯,所述反射结构置于反射杯内,发光二极管芯片置于反射杯底部。

10.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述反射结构还具有至少一小孔,所述发光二极管芯片通过打线方式与电路结构电连接,所述导线通过所述至少一小孔电连接发光二极管芯片及电路结构。

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