[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

防吸收层，其形成在包括第一触点插塞和第二触点插塞在内的半导体基板上；以及

第一电容器，其具有连接至所述第一触点插塞的第一电极、形成于所述第一电极上的介电膜、以及形成于所述介电膜上的第二电极；

第二电容器，其具有连接至所述第二触点插塞的第一电极、形成于所述第一电极上的介电膜、以及形成于所述介电膜上的第二电极；

其中，所述第一电容器的介电膜和所述第二电容器的介电膜是彼此分离开的。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

沉积在所述半导体基板与所述防吸收层之间的蚀刻停止层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一电容器的介电膜和所述第二电容器的介电膜在下部处彼此分离开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一电容器和所述第二电容器均限定在沟槽内，所述第二电极完全地设置在所述沟槽内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述防吸收层包括四乙基甲基胺基材料。

6.一种半导体器件，包括：

牺牲绝缘膜，其形成在包括底部电极触点插塞在内的半导体基板上；

防吸收层，其形成在包括所述牺牲绝缘膜在内的所得表面上；

底部电极，其连接至所述底部电极触点插塞；以及

介电膜，其形成在所述底部电极上且在所述底部电极之间分离开。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

沉积在所述半导体基板与所述牺牲绝缘膜之间的蚀刻停止层。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

所述防吸收层包括四乙基甲基胺基材料。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

沉积在所述牺牲绝缘膜与所述防吸收层之间的用于氮化物浮动电容器的氮化物膜。

10.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

在包括触点插塞在内的半导体基板上形成防吸收层；

在所述防吸收层上形成牺牲绝缘膜；

蚀刻所述牺牲绝缘膜和所述防吸收层直到所述触点插塞露出为止，以形成沟槽；

在所述沟槽的至少内部表面上形成第一电极；

移除所述牺牲绝缘膜；

在所述第一电极上形成介电膜；以及

在所述介电膜上形成第二电极，

其中，所述第一电极、所述介电膜和所述第二电极限定电容器，并且

所述电容器的介电膜与相邻电容器的介电膜是分离开的。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述半导体基板和所述防吸收层之间沉积蚀刻停止层。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述防吸收层和所述牺牲绝缘膜之间沉积非晶碳层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述防吸收层包括四乙基甲基胺基材料。

14.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述牺牲绝缘膜上沉积用于氮化物浮动电容器的氮化物膜。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述牺牲绝缘膜包括磷硅酸盐玻璃膜和四乙基正硅酸盐膜。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，

移除所述牺牲绝缘膜的步骤利用浸出工序来执行。

17.根据权利要求10所述的方法，其中，

在形成所述介电膜的步骤中，所述介电膜不生长在所述防吸收层上。

18.根据权利要求10所述的方法，其中，

形成所述第一电极的步骤包括：

在所述沟槽的内部表面上形成导电层；以及

执行回蚀工序或化学机械抛光工序，直到所述牺牲绝缘膜露出为止。