[发明专利]非易失性存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201010501924.1 | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101996875A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，包括：
在一基底上依序地形成一叠层结构以及一消耗层；
在该消耗层的周围区域进行一转变工艺以形成一第一绝缘层；
移除该消耗层；以及
在该叠层结构与该第一绝缘层上形成一导体层。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该叠层结构包括依序在该基底上形成的一第二绝缘层、一电荷储存层以及一第三绝缘层。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该第三绝缘层的厚度介于80埃至100埃之间，而该第一绝缘层的厚度介于10埃至5埃之间。
4.根据权利要求2所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该第二绝缘层的厚度介于50埃至60埃之间。
5.根据权利要求2所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该电荷储存层的厚度介于60埃至80埃之间。
6.根据权利要求2所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该电荷储存层为一介电材质，且该介电材质提供电荷储存能力。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该介电材质为一氮化物层包括氮化硅。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，该转变工艺为一氧化工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010501924.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有盖轴挡块的回转盖板式法兰人孔
- 下一篇：一种新型冷成型易揭膜
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
