[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一半导体芯片；

一金属垫，设置于该半导体芯片的一主要表面上；

一凸块下金属层，设置于该金属垫之上，与该金属垫接触；

一金属凸块，设置于该凸块下金属层之上，与该凸块下金属层电性连接；以及

一伪图案，设置在与该金属垫相同的水平面上，且由与该金属垫相同的金属材料制成。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中在该半导体芯片内无金属凸块在该伪图案之上形成，且无金属凸块与该伪图案电性连接，其中该伪图案与全部的金属凸块以及该半导体芯片内的有源集成电路电性隔绝。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该金属凸块为铜凸块或焊锡凸块。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该伪图案为伪金属条，由接近该半导体芯片的一边延伸至接近一相对边。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该伪图案包括一连续的伪金属保护物，完全地围绕多个金属垫。

6.如权利要求5所述的集成电路结构，其中该连续的伪金属保护物由该半导体芯片的一边连续地延伸至一相对边。

7.如权利要求5所述的集成电路结构，其中该连续的伪金属保护物由该半导体芯片的一角连续地延伸至一相对角。

8.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

一伪重分布导孔，设置于该伪图案底下，与该伪图案物理性地接触；以及

一伪金属特征，设置于该伪重分布导孔底下，其中该伪金属特征与该伪重分布导孔及该伪图案电性连接。

9.一种集成电路结构，包括：

一半导体芯片；

一钝化层，设置于该半导体芯片的一主要表面上；

多个金属垫，设置于该钝化层下方；

多个凸块下金属层，每个凸块下金属层包括一第一部分设置于该钝化层之上，以及一第二部分延伸至该钝化层，与每一个金属垫接触；

多个金属凸块，每个金属凸块设置于所述多个凸块下金属层之上，与所述多个凸块下金属层中的一个接触；以及

多个伪图案，分布在整个该半导体芯片中，其中所述多个伪图案为设置在相同水平面上的平行伪金属条，且由与所述多个金属垫相同的材料制成。

10.如权利要求9所述的集成电路结构，其中在相同的水平面上，且由与该伪金属保护物相同的材料形成的全部金属特征的图案密度大于90百分比。