[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201010298495.2 | 申请日: | 2006-02-03 |
公开(公告)号: | CN101943667A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
发明(设计)人: | 野田由美子;渡边康子;荒井康行 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G01N22/00 | 分类号: | G01N22/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李进;林毅斌 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.半导体器件,包括:
用于将电磁波转换成电信号的天线;
用于检测化学反应的检测部分;和
用于控制天线和检测部分的控制部分;
其中所述检测部分包括至少检测元件;
其中所述控制部分包括至少晶体管;和
其中所述检测元件包括导电层和用于固定核酸、蛋白质、酶、抗原、抗体和微生物中至少任一的反应层,
其中所述导电层和反应层彼此接触,且
其中所述检测元件提供在晶体管上。
2.半导体器件,包括:
用于将电磁波转换成电信号的天线;
用于检测化学反应的检测部分;
用于控制天线和检测部分的控制部分;和
用于存储数据的存储部分;
其中所述检测部分包括至少检测元件;
其中所述控制部分包括至少晶体管;
其中所述存储部分包括至少存储元件;
其中所述检测元件包括导电层和用于固定核酸、蛋白质、酶、抗原、抗体和微生物中至少任一的反应层;
其中所述导电层和反应层彼此接触,且
其中所述检测元件提供在晶体管上。
3.权利要求2的半导体器件,其中所述存储元件包括第一导电层、第二导电层以及第一导电层和第二导电层之间的层。
4.权利要求1或2的半导体器件,其中所述晶体管包括至少栅极、源极、漏极和半导体层。
5.权利要求4的半导体器件,其中所述导电层电连接于源极或漏极。
6.权利要求1或2的半导体器件,其中所述检测元件还包括第二导电层,所述反应层与所述导电层和所述第二导电层接触。
7.权利要求1的半导体器件,其中所述天线、检测部分和控制部分提供在相同衬底上。
8.权利要求2的半导体器件,其中所述天线、检测部分、控制部分和存储部分提供在相同衬底上。
9.权利要求7或8的半导体器件,其中所述相同衬底是玻璃衬底。
10.权利要求1或2的半导体器件,还包括控制部分上的绝缘层。
11.权利要求10的半导体器件,其中所述绝缘层用金刚石类碳形成。
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