[发明专利]一种闪存器件及其形成方法

权利要求书

1.一种闪存器件，位于绝缘层之上，包括：

第一鳍片和第二鳍片，其中所述第二鳍片为所述器件的控制栅；

栅介质层，位于所述第一鳍片和第二鳍片的侧壁和顶部；

浮栅，位于所述栅介质层上且横跨所述第一鳍片和第二鳍片；

源/漏区，位于所述浮栅两侧的所述第一鳍片内。

2.根据权利要求1所述的闪存器件，还包括形成于所述浮栅两侧的侧墙。

3.根据权利要求1所述的闪存器件，其中所述第二鳍片为n型或p型掺杂。

4.根据权利要求1所述的闪存器件，其中所述浮栅为多晶硅栅或金属栅。

5.根据权利要求1所述的闪存器件，其中所述第一鳍片和第二鳍片的顶部有保护帽层。

6.根据权利要求1所述的闪存器件，其中所述第一鳍片和第二鳍片平行排列于所述绝缘层上。

7.根据权利要求1-6中任一项所述闪存器件，其中所述绝缘层为绝缘体上半导体中的绝缘层，所述第一鳍片和第二鳍片由绝缘体上半导体的顶层半导体形成。

8.一种闪存器件的形成方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底包括绝缘层和半导体层，所述半导体层位于所述绝缘层上；

图案化所述半导体层以形成第一鳍片和第二鳍片；

在所述第一鳍片和第二鳍片的侧壁及顶部形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成横跨所述第一鳍片和所述第二鳍片的浮栅；

在所述浮栅两侧的第一鳍片中形成源/漏区。

9.根据权利要求8所述的方法，在形成所述浮栅后，还包括在所述浮栅两侧形成侧墙。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述第一鳍片和第二鳍片的侧壁及顶部形成栅介质层之前，所述方法进一步包括：

对所述第二鳍片进行n型或p型掺杂。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述图案化所述半导体层以形成第一鳍片和第二鳍片的步骤包括：

在所述半导体层上形成保护层；

对所述半导体层和保护层构图，形成与将要形成的鳍片相对应的图案；

对所述半导体层和保护层进行刻蚀，所述半导体层形成第一鳍片和第二鳍片，所述保护层形成位于所述第一鳍片和第二鳍片上的保护帽层。

12.根据权利要求8-11中任一项所述的方法，其中在所述栅介质层上形成横跨所述第一鳍片和所述第二鳍片的浮栅的步骤之后还包括：

对所述第一鳍片进行倾角离子注入以形成晕圈注入区；和/或

对所述第一鳍片进行倾角离子注入以形成源/漏延伸区。