[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，尤其涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法。 

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)阵列基板已经普遍地应用在平面显示器上，例如，有源矩阵液晶显示器(AMLCD)、有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)等。该类型显示器一般是先在基板上沉积非晶硅层(a-Si)，然后通过热处理使非晶硅熔融结晶以形成较平滑且具有晶粒的多晶硅层(p-Si)，接下来利用多晶硅层作为薄膜晶体管(TFT)的半导体层，制作阵列基板。在AMLCD应用中，像素电路中的TFT只起到开关作用，因此其更注重TFT的载流子迁移率以保证足够大的开态电流。而对于AMOLED应用来说，像素电路中的TFT按照功能可以分为起到开关作用的开关TFT和用于驱动有机发光器件(OLED)的驱动TFT两大类，开关TFT需要有大的开态电流，亦即高载流子迁移率，而驱动TFT因为要给OLED器件提供稳定、均匀的电流，所以需要有很好的一致性。目前对于低温多晶硅结晶化技术而言，准分子激光退火(ELA)技术是业界普遍采用的技术，利用该技术获得的TFT通常具有较高的载流子迁移率，但一致性相对较差。因此，很难同时获得具有高载流子迁移率的开关TFT和很好一致性的驱动TFT，无法完全满足AMOLED的应用需求。 

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法以及包括所述阵列基板的有源矩阵有机发光显示器。 

本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的： 

本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，所述有源矩阵有机发光显示器阵列基板包括一玻璃基板；配置于该玻璃基板上的多个像素，并呈矩阵排列；平行配置于像素之间的多条数据线；平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线。上述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，上述开关区域内具有开关薄膜晶体管，上述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管。 

上述有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法包括在玻璃基板上形成一 缓冲层，在缓冲层上形成一非晶硅层，在玻璃基板、缓冲层和非晶硅层中的至少一层上设置若干籽晶凹槽。上述籽晶凹槽在阵列基板的列方向上呈平行排列，间距为相邻两像素驱动薄膜晶体管的设计间距。所述的驱动薄膜晶体管形成于籽晶凹槽内。 

上述若干籽晶凹槽可以设置于缓冲层上，籽晶凹槽的深度约为缓冲层厚度的1/4～3/4，优选深度为缓冲层厚度的1/2。 

上述若干籽晶凹槽可以设置于玻璃基板上，籽晶凹槽的深度约为20～80nm，优选深度约为50nm。 

通过本发明技术方案制造的有源矩阵有机发光显示器，驱动薄膜晶体管具有更加优良的一致性，从而提高应用于移动通信设备、视频播放设备和显示设备等AMOLED显示器的整体性能。 

附图说明

图1A为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的结构示意图； 

图1B为图1中虚线区域放大的电路示意图； 

图1C为图1中单个像素的器件结构示意图； 

以下图2A～图2L为本发明实施例1所述显示器阵列基板制造方法的各工艺步骤图示： 

图2A为本发明实施例1形成缓冲层的截面示意图； 

图2B为本发明实施例1形成籽晶凹槽的截面示意图； 

图2C为本发明实施例1形成非晶硅层的截面示意图； 

图2D为本发明实施例1形成非晶硅层的平面示意图； 

图2E为本发明实施例1形成多晶硅硅岛的截面示意图； 

图2F为本发明实施例1形成栅绝缘层的截面示意图； 

图2G为本发明实施例1形成栅极的截面示意图； 

图2H为本发明实施例1形成层间绝缘层的截面示意图； 

图2I为本发明实施例1形成源极、漏极通孔的截面示意图； 

图2J为本发明实施例1形成源极、漏极的截面示意图； 

图2K为本发明实施例1形成钝化层的截面示意图； 

图2L为本发明实施例1形成氧化铟锡电极的截面示意图； 

图3A为本发明实施例2形成籽晶凹槽的截面示意图； 

图3B为本发明实施例2形成缓冲层和非晶硅层的截面示意图。 

具体实施方式

为让本发明的上述内容更明显易懂，下文特举较佳实施例，并结合附图作详细说明如下。 

实施例1