[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法无效
| 申请号： | 201010292839.9 | 申请日： | 2010-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102005413A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 高孝裕;邱勇;罗红磊;黄秀颀 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32 |
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| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有源 矩阵 有机 发光 显示器 阵列 制造 方法 | ||
1.一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，所述有源矩阵有机发光显示器阵列基板包括：
一玻璃基板；
以及配置在该玻璃基板上的
多个像素，呈矩阵排列；
多条数据线，平行配置于像素之间；
多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直；
所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，
所述开关区域内具有开关薄膜晶体管，所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管；
所述有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法包括：在玻璃基板上形成一缓冲层，在缓冲层上形成一非晶硅层，其特征在于，在所述玻璃基板、缓冲层和非晶硅层中的至少一层上设置若干籽晶凹槽。
2.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述若干籽晶凹槽在所述阵列基板的列方向上呈平行排列。
3.如权利要求2所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述若干籽晶凹槽的间距为相邻两像素驱动薄膜晶体管的设计间距。
4.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管形成于所述籽晶凹槽内。
5.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述若干籽晶凹槽设置于缓冲层上。
6.如权利要求5所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述若干籽晶凹槽的深度约为缓冲层厚度的1/4～3/4。
7.如权利要求6所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述若干籽晶凹槽的深度约为缓冲层厚度的1/2。
8.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述若干籽晶凹槽设置于玻璃基板上。
9.如权利要求8所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述若干籽晶凹槽的深度约为20～80nm。
10.如权利要求9所述的一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述若干籽晶凹槽的深度约为50nm。
11.一种有源矩阵有机发光显示器，包括由权利要求1所述的制造方法制造的有源矩阵有机发光显示器阵列基板。
12.一种移动通信设备，其特征在于，所述移动通讯设备包括如权利要求11所述的有源矩阵有机发光显示器。
13.一种视频播放设备，其特征在于，所述视频播放设备包括如权利要求11所述的有源矩阵有机发光显示器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
