[发明专利]发光二极管封装基板及发光二极管封装结构的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装基板及发光二极管封装结构的形成方法。

背景技术

传统的发光二极管封装结构的切割方法一般采用激光切割，但是为了降低切割成本以及简化制程，目前在发光二极管制程上大多采用裂片(breaking)方式。具体方法为：在用于形成多个封装结构的封装基板上预切割多条切割线，在完成封装制程后，沿着所述切割线将多个发光二极管封装结构分别剥离下来，得到多个分离的发光二极体封装结构。但是为了保持封装基板整体结构，防止在预切割或后续封装制程时封装基板出现断裂，切割线不能切的太深，这就导致了在剥离发光二极管封装结构的过程中，由于应力无法很好地进行传递至切割线处，容易造成剥离后的发光二极体封装结构边缘不规则，从而影响到发光二极体封装结构的良率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种剥离后的发光二极管封装结构边缘规则，良率较高的发光二极管封装基板以及发光二极管封装结构的形成方法。

一种发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面。所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板分割成多个单片。所述切割线的交点处形成有贯通所述基板上下表面的通孔，所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的两端沿所述切割线分别开设有切口。

一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤：

提供一发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面，所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板均匀分割成多个单片；

在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔；

在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口；

将多个发光二极管晶粒分别设置在所述发光二极管封装基板的每个单片上；

沿着所述切割线分别剥离下每个单片，从而形成多个发光二极管封装结构。

相较于现有技术，本发明的发光二极管封装基板在上下表面分别预切割有切割线，并且在上下表面上沿所述切割线分别开设切口，从而在剥离过程中，有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较高。

附图说明

图1为本发明实施方式中的发光二极管封装基板的俯视图。

图2为本发明实施方式中的发光二极管封装基板的仰视图。

图3为图1中的发光二极管封装基板沿I-I的剖面示意图。

图4为将图1中的发光二极管封装基板设置发光二极管晶粒的俯视图。

图5为在图7中的发光二极管晶粒上设置封装层的发光二极管封装基板的俯视图。

主要元件符号说明

发光二极管封装基板    100

上表面                110

下表面                120

切割线            130

单片              140

凹槽              141

上电极            142

下电极            143

通孔              150

切口              160

发光二极管晶粒    200

封装层            300

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。

请参阅图1，图2以及图3，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装基板100包括相对的上表面110以及下表面120。

所述上表面110以及下表面120分别形成有多条相交的横向及纵向的切割线130，所述切割线130将所述发光二极管封装基板100均匀分割成多个单片140。为保持所述发光二极管封装基板100的整体结构，防止其断裂，所述切割线130的深度不宜太深，其具体深度应视基板材质而定。

所述横向及纵向的切割线130的交点处形成有贯通所述发光二极管封装基板100的上表面110以及下表面120的通孔150。