[发明专利]发光二极管封装基板及发光二极管封装结构的形成方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面，所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板分割成多个单片，其特征在于，所述切割线的交点处形成有贯通所述基板上下表面的通孔，所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的两端沿所述切割线分别开设有切口。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装基板，其特征在于：所述基板为陶瓷基板。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装基板，其特征在于：所述切口与所述切割线连通，并在垂直所述发光二极管封装基板的方向上呈“V”字型。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装基板，其特征在于：在所述基板的上表面上，所述每个单片都开设有凹槽，所述凹槽中设置有上电极，在所述基板的下表面上设置有与所述上电极相对应的下电极，所述上电极与所述下电极彼此电性连接。

5.一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤：

提供一发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面，所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板均匀分割成多个单片；

在所述切割线的交点处开设贯通所述发光二极管封装基板上表面及下表面的通孔；

在所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的上下两端沿所述切割线分别开设切口；

将多个发光二极管晶粒分别设置在所述发光二极管封装基板的每个单片上；

沿着所述切割线分别剥离下每个单片，从而形成多个发光二极管封装结构。

6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：在所述发光二极管封装基板的上表面上，所述每个单片都开设有凹槽，所述凹槽中设置有上电极，在所述发光二极管封装基板的下表面上设置有与所述上电极相对应的下电极，所述上电极与所述下电极彼此电性连接。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述多个发光二极管晶粒分别设置在所述每个单片的凹槽中，并且电性连接其中的上电极。

8.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：所述切口与所述切割线连通，并呈“V”字型。

9.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于：在将多个发光二极管晶粒分别设置在所述发光二极管封装基板的每个单片上的步骤之后还包括在每个单片的凹槽中形成封装层，覆盖所述发光二极管晶粒的步骤。