[发明专利]铱电镀液及其电镀方法

说明书

技术领域

本发明涉及铱电镀液及其电镀方法。

背景技术

铱是具有高硬度，同时对于高浓度的酸和王水或者卤素类也显示出良好的耐腐蚀性的金属。而且，其应用范围不仅包括装饰品，还包括特定的金属的固化剂或催化剂，并在工业上被广泛地用作防腐蚀材料和触点等的材料。

作为使用该铱时的铱电镀液，已知下述铱电镀液：向阴离子成分为卤素的铱(III)配盐中加入选自饱和单羧酸、饱和单羧酸盐、饱和二羧酸、饱和二羧酸盐、饱和羟基羧酸、饱和羟基羧酸盐、酰胺、尿素的一种以上的化合物并搅拌，将所得的物质作为铱化合物使用(参照专利文献1)。

该铱电镀液被有效地用作稳定而不易分解、具有高电流效率和高电镀速度的实用性铱电镀液。

然而，这样优秀的铱电镀液也被指出了如下的关于其电镀性状的问题。例如，使用于如引脚等用于进行电连接的电子元器件的情况下(参照专利文献2)，有时会产生铱电镀被膜出现裂缝而无法充分满足电特性的现象。对于该如引脚等电子元器件，通常采用在基底的铑上进行铱电镀被覆的方法，但随着如铑等稀有金属的价格高涨，正在研究减少基底的铑而以较厚的铱电镀被膜进行电镀处理的应对方案。这样形成较厚的铱电镀被膜的情况下，以往的铱电镀液的裂缝生成变得特别显著，产生无法满足电特性的情况。

专利文献1：日本专利特开平6-316786号公报

专利文献2：日本专利特开平7-21867号公报

发明内容

本发明是在如上所述的情况完成的发明，其目的在于提供可以容易地形成裂缝的产生得到竭力的抑制的铱电镀被膜的铱电镀液及其电镀方法。

本发明是使用向阴离子成分为卤素的铱(III)配盐中加入选自饱和单羧酸、饱和单羧酸盐、饱和二羧酸、饱和二羧酸盐、饱和羟基羧酸、饱和羟基羧酸盐、酰胺、尿素的一种以上的化合物并搅拌而得的铱化合物的铱电镀液，其特征在于，包含Fe、Co、Ni、Cu中的至少一种以上。通过使Fe、Co、Ni、Cu中的至少任意一种金属存在于电镀液中，铱电镀被膜中的裂缝的产生得到有效的抑制。

本发明的铱电镀液较好是Fe、Co、Ni、Cu中的至少一种以上的含量为0.01g/L～10g/L。如果低于0.01g/L，则容易产生裂缝；如果高于10g/L，则结晶生长变得不稳定。

该Fe、Co、Ni、Cu中的任意一种金属较好是以可溶性金属盐的形式含于电镀液中。

本发明的铱电镀液较好是以金属铱浓度计包含1～200g/L铱，更好是10～20g/L。如果铱浓度低于1g/L，则电流密度的上限变小，难以供实际使用；如果高于200g/L，则饱和而铱无法溶解，并且成本升高，实用性不佳。作为铱(III)配盐，可以采用六氯铱(III)酸盐、六溴铱(III)酸盐、六氟铱(III)酸盐，较好是六溴铱(III)酸钠、六氯铱(III)酸钠等。另外，选自饱和单羧酸、饱和单羧酸盐、饱和二羧酸、饱和二羧酸盐、饱和羟基羧酸、饱和羟基羧酸盐、酰胺、尿素的一种以上的化合物的添加量较好是0.001～1.0mol/L，更好是0.01～0.2mol/L。另外，作为该化合物，可以采用例如乙酸、丙二酸二钠、乙二酸等，较好是丙二酸二钠。另外，将其添加量设为0.001～1.0mol/L的理由是：如果低于0.001mol/L，则几乎不会显现添加所产生的效果；如果高于1.0mol/L，则会妨碍析出。

本发明的铱电镀液可以根据需要包含用于pH调整的缓冲剂，例如硼酸、氨基磺酸等。

本发明的铱电镀方法中，将条件设为pH1～8、温度50～98℃、电流密度0.01～3.0A/dm²，较好是以pH4～6、温度80～90℃、电流密度0.1～0.8A/dm²的操作条件使用。设为pH1～8的理由是：如果pH低于1，则电流密度的上限变小，实用性不佳；如果pH高于8，则生成氢氧化物，产生沉淀。另外，如果温度低于50℃，则极不易析出；如果温度高于98℃，则水的蒸发剧烈，实用性不佳。另外，电流密度低于0.01A/dm²时，析出速度极慢；电流密度高于3.0A/dm²时，产生氢而不析出析出物。

如果采用本发明，则可以形成裂缝的产生得到竭力的抑制的铱电镀被膜。

附图说明

图1是实施例1的镀层表面观察照片。

图2是未添加金属时的镀层表面观察照片。

图3是实施例2的镀层表面观察照片。

图4是实施例2的Co含量20.0g/L的镀层表面观察照片。