[发明专利]一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法无效
| 申请号： | 201010289059.9 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101948315A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘新宽;刘平;周敬恩;马明亮;席生岐 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 氮化 陶瓷 低温 烧结 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法，其特征在于步骤如下：
将氮化铝粉末加入烧结助剂，混合后装入石墨模具中，然后将其放于真空热压烧结炉中烧结，控制烧结温度为1500～1600℃，烧结后切断电源并随炉冷却到室温，最终得氮化铝陶瓷；
所述的氮化铝粉末的平均颗粒尺寸为8～20μm，氮化铝晶粒尺寸约为30nm。
2.如权利要求1所述的一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法，其特征在于所述的烧结助剂为CaO，YF3和Y2O3任意一种或者一种以上的混合物，烧结助剂的用量按其占氮化铝粉末重量的1～3％。
3.如权利要求1或2所述的一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法，其特征在于所述的真空热压烧结炉中烧结时，控制压力为2Mpa，真空度为10-2帕，烧结时间为1h。
4.如权利要求1或2所述的一种高性能氮化铝陶瓷的低温烧结方法所得的氮化铝陶瓷，其特征在于其热导率介于120～150Ｗ·m-1·Ｋ-1之间，三点弯曲强度为400～500MPa，显微硬度为Hv1200Mpa，气孔率为1～3%。
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