[发明专利]一种二极管的生产工艺无效
| 申请号: | 201010288470.4 | 申请日: | 2010-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN102412146A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
| 发明(设计)人: | 李树 | 申请(专利权)人: | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 赵绍增 |
| 地址: | 226500 江苏省如皋市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 二极管 生产工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种二极管的生产工艺,具体是一种由排向、焊接、清洗、上胶、固化、封装六大步骤构成,具有快速去除材料表面上的水,减少固化时间的优点
背景技术
传统的二极管生产工艺为排向、焊接、清洗、上胶、固化、封装六大步骤,由上述步骤所生产的二极管,具有以下缺点:材料表面的水较多,需要较长的固化时间。
发明内容
本发明的主要任务在于提供一种二极管的生产工艺,具体是一种能有效解决去除已清洗好材料上的水珠,达到保证材料在上胶前产品的质量的二极管生产工艺。
为了解决以上技术问题,本发明的一种二极管的生产工艺,主要由排向、焊接、清洗、上胶、固化、封装六大步骤构成,其特征在于:所述清洗后增加脱水工序,所述脱水工序为:在专用脱水机中充氮气,然后在常温中以5-99.9秒的加速度,脱水20-50秒。
进一步地,所述氮气流量为8-15m3/h;优选流量为12m3/h。
进一步地,所述优选的加速度为20-25秒。
进一步地,所述优选的脱水时间为30秒。
本发明的优点在于:在清洗后增加脱水程序,提高上胶前的产品表面的清洁度,减少固化时间。
附图说明
图1为本发明二极管的结构示意图。
具体实施方式
本发明的一种二极管的生产工艺,具体步骤如下:
如图1所示,将二极管的引线1、焊片2、芯片3、焊片4、引线5依次排列并焊接为一体,然后按常规清洗,清洗后,进行脱水。
所述脱水工序中涉及到专用脱水机,该脱水机为专利申请号为201020537055.3的脱水机。使用时,在该脱水机的腔体内以三模为一个基数,成倍地递增放置清洗后的产品。然后,关闭腔体,充入氮气,将该产品在脱水机中以以下条件中进行甩干:a、在专用脱水机中充氮气,所述氮气流量为8-15m3/h;优选流量为12m3/h。b、然后在常温中以5-99.9秒的加速度,优选的加速度为20-25秒;脱水20-50秒,优选的脱水时间为30秒。经过上述工序后,完成脱水,进入下一上胶程序。
所述上胶和固化均为常规程序,在此不累述。最后在固化后的产品的两电极之间用硅橡胶或聚酰亚胺胶6封装,再在其组成的整体外表面进行整体封装,最终得成品。
由上述有脱水工序制得的成品,经检测,其产品的合格率上升5-8个百分点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





