[发明专利]一种二极管的生产工艺无效
| 申请号： | 201010288470.4 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102412146A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李树 | 申请（专利权）人： | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 赵绍增 |
| 地址： | 226500 江苏省如皋市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 生产工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种二极管的生产工艺，主要由排向、焊接、清洗、上胶、固化、封装六大步骤构成，其特征在于：所述清洗后增加脱水工序，所述脱水工序为：在专用脱水机中充氮气，然后在常温中以5-99.9秒的加速度，脱水20-50秒。
2.根据权利要求1所述的一种二极管的生产工艺，其特征在于：所述氮气流量为8-15m3/h。
3.根据权利要求2所述的一种二极管的生产工艺，其特征在于：所述氮气流量为12m3/h。
4.根据权利要求1所述的一种二极管的生产工艺，其特征在于：所述加速度为20-25秒。
5.根据权利要求1所述的一种二极管的生产工艺，其特征在于：所述脱水时间为30秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
