[发明专利]采用间隔物图案化技术制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

获得单元图案及外围区的外围图案的目标布局，所述单元图案在单元区中形成行；

形成倾斜图案以及形成所述外围图案的相反图案，所述倾斜图案交替地重叠所述单元图案的所述行；

将间隔物附着到所述倾斜图案及所述相反图案的侧壁；

通过填充所述间隔物之间的间隙，在所述倾斜图案之间形成第一嵌埋图案以及在所述相反图案周围形成第二嵌埋图案；以及

通过切割及分开所述倾斜图案和所述第一嵌埋图案的中间部分而形成所述单元图案，以及通过移除所述相反图案，设定具有所述第二嵌埋图案的所述外围图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述单元图案沿着6F2或4F2单元布局而布置。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述单元图案布置在倾斜方向上。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述相反图案包括：

获得所述外围图案的目标布局的相反布局；以及

减小所述相反布局的尺寸。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述相反布局的尺寸被减小间隔物的宽度或被减小多于所述间隔物的宽度。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述倾斜图案、所述相反图案、所述第一嵌埋图案及所述第二嵌埋图案由实质上相同的材料形成。

7.一种制造半导体装置的方法，包括；

在定义有单元区及外围区的晶片上方形成硬掩模膜及分隔层；

图案化所述分隔层以形成倾斜图案，以及图案化将设置于所述外围区中的外围图案的相反图案，所述倾斜图案与将设置于所述单元区中的单元图案的行交替重叠；

将间隔物附着到所述倾斜图案及所述相反图案的侧壁；

通过填充所述间隔物之间的间隙，在所述倾斜图案之间形成第一嵌埋图案以及在所述相反图案周围形成第二嵌埋图案；

通过切割及分开所述倾斜图案及所述第一嵌埋图案的中间部分而形成所述单元图案，并且通过移除所述相反图案而设定具有所述第二嵌埋图案的所述外围图案；

选择性地移除所述间隔物；以及

通过使用所述单元图案及所述外围图案作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻所述硬掩模膜的曝光区域而形成硬掩模图案。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述单元图案沿着6F2或4F2单元布局布置。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述单元图案在倾斜方向上布置。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述相反图案的间隙形成在由所述外围图案的间隔而隔开的位置处。

11.如权利要求7所述的方法，其中形成所述第一嵌埋图案及所述第二嵌埋图案包括：

在附着所述间隔物的工艺之后，用嵌埋层嵌埋所述倾斜图案、所述相反图案及所述间隔物；以及

在所述嵌埋层上进行平坦化工艺，以暴露所述倾斜图案、所述相反图案及所述间隔物的顶面。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述平坦化工艺通过化学机械抛光工艺或回蚀刻工艺进行。

13.如权利要求7所述的方法，在形成所述硬掩模图案之后还包括：

通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述单元区及所述外围区的晶片，在所述单元区中形成具有第一宽度的装置隔离槽；及

在所述外围区中形成具有第二宽度的另一装置隔离槽，使得所述第二宽度宽于所述第一宽度。

14.如权利要求7所述的方法，其中形成所述倾斜图案及所述外围图案包括：

在形成所述分隔层之后，在所述分隔层上方形成抗蚀剂膜；

获得单元图案及将设置于所述外围区中的外围图案的目标布局，所述单元图案在单元区中形成行；

获得所述单元图案及所述外围图案的目标布局的相反布局；

减小所述相反布局的尺寸；

转移所述相反布局至所述抗蚀剂膜；及

通过使用转移有所述相反布局的抗蚀剂膜，图案化所述分隔层。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述相反布局的尺寸被减小约所述间隔物的宽度或被减小约多于所述间隔物的宽度。