[发明专利]发光装置及发光装置制造方法

说明书

相关申请的交叉参考

本申请包含与2009年9月30日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-228036的公开内容相关的主题，在此将该优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及具有多个发光元件的发光装置以及该发光装置的制造方法。

背景技术

近年来，在半导体激光器领域中，正在积极地开发在同一基板(或基体)上具有发光波长互不相同的多个发光部的多波长激光器。多波长激光器例如被用作光盘装置的光源。

在该光盘装置中，700nm波段的激光束用于再生CD(压缩光盘)，并且还用于记录/再生诸如CD-R(可记录CD)、CD-RW(可擦写CD)或者MD(小型光盘)等可记录光盘。600nm波段的激光束用于记录/再生DVD(数字化多用途光盘)。通过在光盘装置上安装多波长激光器，就可以记录或再生现有的多种光盘中的任何一种。此外，已实现了具有短波长(400nm波段)的激光器，该激光器使用由GaN、AlGaN和GaInN代表的氮化物基III-V族化合物半导体(下文称作GaN基化合物半导体)，该激光器实际上被用作较高密度光盘的光源。另外，通过将多波长也用在短波长激光器上，可以进一步扩大应用。

通常推荐的是具有这种GaN基激光振荡器的3波长激光装置(发光装置)，它例如通过下面的方法制造而成。具体地，首先，在GaN基板上生长GaN基化合物半导体，以便形成波长在400nm波段的第一发光元件。在同一GaN基板上，通过生长AlGaInP基化合物半导体来提供600nm波段的元件并且还通过生长AlGaAs基化合物半导体来提供700nm波段的元件，由此形成第二发光元件。把第一发光元件和第二发光元件按照此顺序重叠地设置在支撑基体上。以此方式，通常就制造出3波长激光装置。在通常的3波长激光装置中，第二发光元件中产生的热量从具有极好导热性的GaN基板和支撑基体中释放出去，从而得到高的散热效率。

这种发光装置例如通过如下方法予以形成：在支撑基体上安装第一发光元件，在该支撑基体上形成多个金凸块，并在这些金凸块和上述第一发光元件上安装第二发光元件(参照日本专利公开公报特开2007-234643号)。这些金凸块具有如下功能：其作为使第二发光元件中产生的热量释放出去的散热器(heat sink)，还用于从支撑基体侧向第二发光元件提供电力。

在该制造过程中，在设置第二发光元件之前，不容易将全部金凸块的高度调整成同一高度，因此这些金凸块的高度是有差异的。所以，在金凸块的高度略大于所需高度的情况下，在设置第二发光元件时金凸块会被第二发光元件挤压而发生变形。当金凸块受到挤压而发生变形时，意味着在金凸块中会出现脆弱性(weakness)。这样导致的问题是：根据脆弱性的程度，就可能出现故障。

发明内容

因此，本发明的目的是期望提供一种能够解决由于第一发光元件与第二发光元件之间的接合而引起的脆弱性的发光装置、以及该发光装置的制造方法。

本发明一个实施例的发光装置包括：支撑基体，在它的顶面上具有凸部；第一发光元件，它设置在所述顶面中的没有形成所述凸部的区域内；以及第二发光元件，它设置在所述第一发光元件和所述凸部上。所述发光装置还包括引出电极以及一个或多个焊盘电极。所述引出电极形成在所述顶面中的没有形成所述凸部的区域内，并与所述第一发光元件电连接。所述一个或多个焊盘电极中的每一者都具有与所述第二发光元件电连接的第一连接面和与外部导电部件电连接的第二连接面，并且每个所述焊盘电极都形成在所述凸部的顶面上。

本发明另一实施例的发光装置包括：导电性支撑基体，在它的顶面上具有凸部；第一发光元件，它设置在所述顶面中的没有形成所述凸部的区域内；以及第二发光元件，它设置在所述第一发光元件和所述凸部上。所述发光装置还具有引出电极以及一个或多个焊盘电极。所述引出电极形成在所述导电性支撑基体的背面上，并与所述导电性支撑基体电连接。所述一个或多个焊盘电极中的每一者都具有与所述第二发光元件电连接的第一连接面和与外部导电部件电连接的第二连接面，并且每个所述焊盘电极都形成在所述凸部的顶面上。