[发明专利]台阶状硅锗源/漏结构的制造方法有效
| 申请号： | 201010285821.6 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102403229A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 台阶 状硅锗源 结构 制造 方法 | ||
1.一种台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，包括：
提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极结构、位于栅极结构两侧的第一间隙壁、以及位于第一间隙壁两侧的第二间隙壁；
执行第一次离子注入工艺，以在所述第二间隙壁两侧的硅衬底中形成第一非晶态区域；
去除所述第二间隙壁；
执行第二次离子注入工艺，以在所述第一间隙壁两侧的硅衬底中形成第二非晶态区域，所述第二非晶态区域的深度小于第一非晶态区域的深度；
刻蚀所述第一非晶态区域和第二非晶态区域，以形成台阶状凹陷部；
在所述台阶状凹陷部内形成掺杂的台阶状硅锗源/漏结构。
2.如权利要求1所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第一非晶态区域和第二非晶态区域是利用干法刻蚀工艺去除的。
3.如权利要求2所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺所使用的刻蚀气体为溴化氢、氧气以及氯气的混合气体。
4.如权利要求1所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第一非晶态区域和第二非晶态区域是利用湿法刻蚀工艺去除的。
5.如权利要求4所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所使用的刻蚀液体为pH值大于10的碱性液体。
6.如权利要求1所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第一次离子注入工艺注入的离子为硅离子、锗离子或氩离子。
7.如权利要求1或6所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第一非晶态区域的深度为450埃～800埃。
8.如权利要求1所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第二次离子注入工艺注入的离子为硅离子、锗离子或氩离子。
9.如权利要求1或8所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第二非晶态区域的深度为100埃～250埃。
10.如权利要求1所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第一间隙壁的材质为氧化硅、氮化硅中的一种或其组合。
11.如权利要求1所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第二间隙壁的材质为氧化硅、氮化硅或无定形碳中的一种或其组合。
12.如权利要求11所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述第二间隙壁是利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除的。
13.如权利要求1所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极介电层以及覆盖所述栅极介电层的栅极电极。
14.如权利要求13所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括还包括覆盖所述栅极电极的盖层。
15.如权利要求14所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述盖层的材质为氧化硅、氮化硅中的一种或其组合。
16.如权利要求1所述的台阶状硅锗源/漏结构的制造方法，其特征在于，所述掺杂的台阶状硅锗源/漏结构是利用外延生长原位掺杂工艺形成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010285821.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
