[发明专利]一种磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法，包括：

提供衬底，衬底上包括已经形成的晶体管，以及晶体管上方形成的数据线和MTJ结构的底电极；

在衬底上沉积MTJ结构，所述MTJ结构包括下部导电层、MTJ层和上部覆盖层，所述MTJ层是由磁性材料层和绝缘材料层交替堆叠而成的多层结构；沉积所述MTJ结构时，首先，在所述衬底上设置用以对衬底四周进行去边遮蔽的第一掩模；其次，在所述第一掩模的遮蔽下，在所述衬底上依次沉积形成MTJ结构的下部导电层和MTJ层，沉积完成后撤除所述第一掩模；再次，在所述衬底上设置同样用以对衬底四周进行去边遮蔽的第二掩模，所述第二掩模同所述衬底相重叠的宽度小于所述第一掩模同所述衬底相重叠的宽度；再次，在所述第二掩模的遮蔽下，在已沉积形成的下部导电层和MTJ层的衬底之上沉积上部覆盖层；最后撤除所述第二掩模；

在MTJ结构上形成掩模图案并以所述掩模图案为遮蔽对所述MTJ结构依次进行刻蚀，最后去除掩模图案形成最终的MTJ结构。

2.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法，其特征在于，所述第一掩模同所述衬底相重叠的宽度与所述第二掩模同所述衬底相重叠的宽度之差在0.5mm至5mm之间。

3.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法，其特征在于，所述上部覆盖层的厚度为200埃至1000埃。

4.如权利要求1或3中任一权利要求所述的磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法，其特征在于，所述下部导电层和上部覆盖层均由金属导电材质形成。

5.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法，其特征在于，所述MTJ层为磁性材料层和绝缘材料层交替堆叠而成的多层结构。