[发明专利]一种磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及磁性随机存取存储器制造领域，特别涉及一种磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法。

背景技术

MRAM(Magnetic Random Access Memory)是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM通常包括用作开关的晶体管T和核心结构磁隧道结MTJ(Magnetic Tunnel Junction)结构，MTJ结构包括下部导电层、MTJ层和上部覆盖层，其中，MTJ层由磁性材料层和绝缘材料层接替堆叠而成。在工作时，由于不同的电信号，会引起磁性材料层上磁化方向的不同，使MTJ结构呈现出不同的电阻值，从而实现记录“0”或“1”这两种存储状态。

请参看图1，图1为现有技术的MRAM结构示意图。如图1所示，包括栅极120和字线130形成在半导体衬底100上，之后，源极区111和漏极区112分别形成在栅极120的两侧，从而形成了具有开关功能的晶体管。在图1中，层间介电层101形成在已经在其上形成有晶体管的半导体衬底上，以完全覆盖晶体管。接触孔140形成在层间介电层101中，漏极区112经过该孔暴露出来。接触孔140填充有与层间介电层101高度相同的导电插塞，之后沉积第一层金属层间介质层并在该第一金属层间介质层上开沟槽，并填充金属Cu作为MTJ结构的底电极150。底电极150形成在数据线130上方。MTJ结构160形成在底电极150的上表面与数据线130相应的预定区域上，然后，形成第二金属层间介电层，并先后刻蚀出通孔和沟槽，以填充金属Cu作为顶电极180。

现有技术中，MTJ结构中的下部导电层、MTJ层和上部覆盖层顺序形成在底电极150的预定区域上；之后在MTJ结构上形成掩模图案，以定义形成MTJ结构的位置；此后，以掩模图案作为蚀刻掩模顺序蚀刻下部导电层、MTJ层和上部覆盖层；最后除掉掩模图案，从而完成MTJ结构。

但现有技术中，在衬垫导电层上沉积形成MTJ结构时，为避免因在衬底的边缘形成MTJ结构，导致最终蚀刻MTJ结构时无法将位于衬底边缘的MTJ结构蚀刻干净，因此如图2所示，现有技术中在衬底上形成MTJ结构160时即在衬底的四周设置掩模200，以防止在衬底的四周形成MTJ结构。掩模200同衬底四周相重叠的宽度为D。但由于形成MTJ结构160通常采用物理气相沉积方法，在掩模200之下还是会形成一小部分的MTJ结构160。为确保沉积形成的MTJ结构160中的各种金属不会扩散至后续工艺制程的工艺腔内，MTJ结构160中上部覆盖层用以将其下的下部导电层和MTJ层包裹覆盖。但现有技术中在掩模200之下形成的那一小部分下部导电层和MTJ层上最终形成的上部覆盖层非常的薄，从而无法将下部导电层和MTJ层包裹住，容易造成MTJ结构160中的金属在后续工艺制程中扩散至工艺腔内。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法，以解决现有技术在沉积MTJ结构时，上部覆盖层无法将下部导电层和MTJ层包裹住，容易造成MTJ结构中的金属在后续工艺制程中扩散至工艺腔内的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种磁性随机存取存储器磁性隧道结层制造方法，包括：

提供衬底，衬底上包括已经形成的晶体管，以及晶体管上方形成的数据线和MTJ结构的底电极；

在衬底上沉积MTJ结构，所述MTJ结构包括下部导电层、MTJ层和上部覆盖层，所述MTJ层是由磁性材料层和绝缘材料层交替堆叠而成的多层结构；沉积所述MTJ结构时，首先，在所述衬底上设置用以对衬底四周进行去边遮蔽的第一掩模；其次，在所述第一掩模的遮蔽下，在所述衬底上依次沉积形成MTJ结构的下部导电层和MTJ层，沉积完成后撤除所述第一掩模；再次，在所述衬底上设置同样用以对衬底四周进行去边遮蔽的第二掩模，所述第二掩模同所述衬底相重叠的宽度小于所述第一掩模同所述衬底相重叠的宽度；再次，在所述第二掩模的遮蔽下，在已沉积形成的下部导电层和MTJ层的衬底之上沉积上部覆盖层；最后撤除所述第二掩模；

在MTJ结构上形成掩模图案并以所述掩模图案为遮蔽对所述MTJ结构依次进行刻蚀，最后去除掩模图案形成最终的MTJ结构。

可选的，所述第一掩模同所述衬底相重叠的宽度与所述第二掩模同所述衬底相重叠的宽度之差在0.5mm至5mm之间。

可选的，所述上部覆盖层的厚度为200埃至1000埃。

可选的，所述下部导电层和上部覆盖层均由金属导电材质形成。