[发明专利]高纯磷烷的净化和分析无效
| 申请号： | 201010284480.0 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102398898A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 尹恩华;武峰;陆方喜 | 申请（专利权）人： | 武峰 |
| 主分类号： | C01B25/06 | 分类号： | C01B25/06;G01N30/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 277100 山东省枣庄市市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高纯 净化 分析 | ||
【说明书】：
技术领域
电子气体是超大规模集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、太阳能电池、光纤等电子工业生产不可缺少的原材料，它们广泛应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。例如在目前工艺技术较为先进的超大规模集成电路工厂的晶圆片制造过程中，全部工艺步骤超过450道，其中大约要使用50种不同种类的电子气体。
背景技术
磷烷是电子气体中的很重要的五族元素之一，是n型掺杂源，它被用作半导体的气相沉积、外延、扩散和离子注入等工序。这些工序要求磷烷的纯度越纯越好(5N-6N)。经权威专家调研，目前国内外磷烷生产厂家对磷烷的纯度指标如下(表1和表2)：
表1美国和日本生产的磷烷(瓶装气)纯度对比
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