[发明专利]光致抗蚀剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物。

背景技术

用于使用光刻法的半导体微型制造的光致抗蚀剂组合物含有酸生成剂，所述酸生成剂包含通过辐照生成酸的化合物。

US 2006/0194982 A1公开了一种包含树脂、酸生成剂和2，6-二异丙基苯胺的光致抗蚀剂组合物，所述树脂具有酸不稳定基团，不溶或难溶于碱性(alkali)水溶液，但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液。

JP 2009-199021 A1公开了一种光致抗蚀剂组合物，其包含由下式表示的化合物：

发明内容

本发明提供一种光致抗蚀剂组合物。

本发明涉及以下内容：

<1>一种光致抗蚀剂组合物，其包含树脂、酸生成剂和由式(I)表示的化合物：

其中R¹表示可以具有一个或多个羟基的C2-C12烷基或可以具有一个或多个羟基的C7-C12芳烷基，并且所述烷基和芳烷基中的一个或多个-CH₂-可以被-O-或-CO-代替，

R²和R³各自独立表示氢原子或可以具有一个或多个羟基的C1-C12烷基，并且所述烷基中的一个或多个-CH₂-可以被-O-或-CO-代替，并且R¹和R²可以彼此结合以与R¹和R²所结合的碳原子一起形成C3-C36环，并且所述环可以具有一个或多个羟基并且环中的一个或多个-CH₂-可以被-O-或-CO-代替，

R⁴，R⁵和R⁶各自独立表示氢原子，C1-C6烷基，C3-C12饱和环烃基，C6-C12芳烃基或C5-C9杂芳基，并且R⁴和R⁵可以彼此结合以与R⁴和R⁵所结合的-CH-N-一起形成C5-C6杂环，并且所述烷基可以具有一个或多个取代基，所述的取代基选自由下列组成的组：-OH，-SH，-NH₂，C3-C12饱和环烃基，C6-C12芳烃基或C5-C9杂芳基，并且所述烷基中的一个或多个-CH₂-可以被-O-，-S-，-CO-，-C(＝NH)或-NH-代替，并且所述饱和环烃基、所述芳烃基和所述杂芳基可以具有一个或多个取代基，所述的取代基选自由下列组成的组：-OH，-CO-R⁷，-O-CO-R⁷和-CO-O-R⁷，其中R⁷表示C1-C6烷基，并且

A¹表示单键或C1-C2亚烷基，所述C1-C2亚烷中的一个或多个-CH₂-可以被-O-代替；

<2>根据<1>所述的光致抗蚀剂组合物，其中在式(I)中，R¹是乙基并且R²和R³是甲基；

<3>根据<1>或<2>所述的光致抗蚀剂组合物，其中在式(I)中，R⁴是氢原子；

<4>根据<1>至<3>中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述树脂具有酸不稳定基团，并且不溶或难溶于碱性水溶液，但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液；

<5>一种用于制造光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括下列步骤(1)至(5)：

(1)将根据<1>至<4>中任一项所述的光致抗蚀剂组合物涂覆到基底上的步骤，

(2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜的步骤，

(3)将所述光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，

(4)将曝光后的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤，和

(5)将烘焙后的光致抗蚀剂膜用碱性显影剂显影，从而形成光致抗蚀剂图案的步骤；

<6>一种由式(I-A)表示的化合物：

其中A¹⁰表示亚甲基，R⁵⁰表示C1-C6烷基并且R⁶⁰表示苯基或具有-COOR⁷⁰的苯基，其中R⁷⁰表示C1-C6烷基；