[发明专利]镀膜件及其制作方法无效
| 申请号： | 201010283661.1 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102400096A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
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| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜 及其 制作方法 | ||
1.一种镀膜件，其包括一基体及一形成于基体表面的抗指纹层，其特征在于：该抗指纹层为一纳米级铝氧碳氮层。
2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述抗指纹层的厚度为100-200nm。
3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述镀膜件还包括一形成于基体与抗指纹层之间的过渡层，该过渡层为一铝层。
4.如权利要求3所述的镀膜件，其特征在于：所述过渡层的厚度为300-400nm。
5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体由金属材料或非金属材料制成。
6.一种镀膜件的制作方法，其包括如下步骤：
提供一基体；
采用真空溅镀法在该基体的表面溅镀一抗指纹层，该抗指纹层为一纳米级铝氧碳氮层。
7.如权利要求6所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：溅镀所述抗指纹层以铝为靶材，对基体设置-100～-300V的偏压，镀膜温度为20～300℃，以氮气、乙炔及氧气为反应气体，氮气的流量为5～70sccm，乙炔的流量为5～60sccm，氧气的流量为5～60sccm；以氩气为工作气体，氩气的流量为300～500sccm。
8.如权利要求6所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括在溅镀抗指纹层之前于基体的表面溅镀一过渡层的步骤。
9.如权利要求8所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：溅镀所述过渡层以铝为靶材，对基体设置-100～-300V的偏压，镀膜温度为20～300℃，以氩气为工作气体，其流量为300～500sccm，镀膜时间为20～60分钟。
10.如权利要求8所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括在溅镀过渡层前对基体进行前处理的步骤。
11.如权利要求10所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：所述前处理包括对基体进行超声波清洗及等离子体清洗的步骤。
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