[发明专利]电极形成方法及电极形成装置有效
申请号: | 201010283435.3 | 申请日: | 2010-09-15 |
公开(公告)号: | CN102034893A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 真田雅和;岩岛正信;古市考次 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 浦柏明;徐恕 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 形成 方法 装置 | ||
1.一种电极形成方法,其特征在于,包括:
第一工序,使喷出涂敷液的喷嘴相对于基板而在第一方向上进行相对移动,从而向上述基板涂敷上述涂敷液,并通过光照射使涂敷到上述基板的上述涂敷液固化,从而形成第一电极,其中,上述涂敷液含电极材料和光固化性树脂,
第二工序,使与上述喷嘴同一形状的喷嘴相对于上述基板而在与上述第一方向不同的第二方向上进行相对移动,从而向上述基板涂敷上述涂敷液,并通过光照射使涂敷到上述基板的上述涂敷液固化,从而形成第二电极;
使上述第一工序中的上述光照射的照射条件和上述第二工序中的上述光照射的照射条件不同,从而使上述第一电极的宽度和上述第二电极的宽度不同。
2.根据权利要求1所述的电极形成方法,其特征在于,
上述第一工序中的时间和上述第二工序中的时间不同,
上述时间是指,从向上述基板涂敷上述涂敷液开始,到开始进行上述光照射为止的时间。
3.根据权利要求2所述的电极形成方法,其特征在于,
上述第一工序中的距离和上述第二工序中的距离不同,
上述距离是指,将上述涂敷液涂敷在上述基板上的着液位置和进行上述光照射的上述基板上的光照射位置之间的距离。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电极形成方法,其特征在于,
上述第一工序中的上述光照射的曝光量和上述第二工序中的上述光照射的曝光量不同。
5.一种电极形成装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,其用于保持基板,
第一喷嘴,其相对于上述基板保持单元所保持的上述基板而进行相对移动,并从喷出口喷出含电极材料和光固化性树脂的涂敷液,
第一光照射部,其对从上述第一喷嘴喷出的涂敷液照射光,
第二喷嘴,其相对于上述基板保持单元所保持的上述基板而进行相对移动,并从具有与上述第一喷嘴相同形状的喷出口喷出上述涂敷液,
第二光照射部,其对从上述第二喷嘴喷出的涂敷液照射光;
上述第一光照射部的光照射条件和上述第二光照射部的光照射条件不同。
6.根据权利要求5所述的电极形成装置,其特征在于,
从上述第一喷嘴喷出上述涂敷液开始到上述第一光照射部开始光照射为止的时间,与从上述第二喷嘴喷出上述涂敷液开始到上述第二光照射部开始光照射为止的时间不同。
7.根据权利要求6所述的电极形成装置,其特征在于,
上述第一喷嘴和上述第一光照射部一体地相对于上述基板保持单元所保持的上述基板进行相对移动,另一方面,上述第二喷嘴和上述第二光照射部一体地相对于上述基板保持单元所保持的上述基板进行相对移动,而且,
第一距离与第二距离不同,
上述第一距离是指,将上述第一喷嘴喷出的涂敷液涂敷到上述基板上的着液位置与上述第一光照射部进行光照射的上述基板上的光照射位置之间的距离,
上述第二距离是指,将上述第二喷嘴喷出的涂敷液涂敷到上述基板上的着液位置与上述第二光照射部进行光照射的上述基板上的光照射位置之间的距离。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的电极形成装置,其特征在于,
上述第一光照射部的曝光量和上述第二光照射部的曝光量不同。
9.一种电极形成装置,其特征在于,具有:
基板保持单元,其用于保持基板,
喷嘴,其从喷出口喷出含电极材料和光固化性树脂的涂敷液,
移动机构,其使上述喷嘴相对于上述基板保持单元所保持的上述基板而进行移动,
光照射部,其对上述喷嘴喷出的涂敷液照射光,
照射条件变更单元,其变更上述光照射部的光照射条件;
执行第一动作模式和第二动作模式,在第一动作模式下,上述照射条件变更单元将上述光照射部的照射条件设定为第一条件,在第二动作模式下,上述照射条件变更单元将上述光照射部的照射条件设定为与上述第一条件不同的第二条件。
10.根据权利要求9所述的电极形成装置,其特征在于,
在上述第一动作模式和上述第二动作模式之间,改变上述喷嘴相对于上述基板的相对移动方向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本网屏制造株式会社,未经大日本网屏制造株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010283435.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的