[发明专利]半导体器件中的图案结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明的总的构思的示例实施方式涉及半导体器件中的图案结构以及形成半导体器件中的图案结构的方法。更特别地，本发明的总的构思的示例实施方式涉及包括焊垫的图案结构以及形成包括焊垫的图案结构的方法。

背景技术

在制造半导体器件的常规方法中，非常难以准确地形成具有约40nm以下宽度的微小图案。为了形成这样的微小图案，通常使用二次构图方法。在二次构图方法中，间隔物形成层形成在通过光刻工艺形成的图案上，然后使用间隔物形成层作为蚀刻掩模能够获得微小图案。

然而，通过二次构图方法形成的微小图案可能不具有与通过光刻工艺获得的图案的结构一致的期望结构。因此，通过仅包括一道光刻工艺的二次构图方法，微小图案可能不确保期望的结构和尺寸。通常，会需要超过三道光刻工艺来形成微小图案和在微小焊垫的端部的具有较大宽度的焊垫。结果，形成微小图案和焊垫的工艺会很复杂，工艺的成本和时间会增加。此外，由于复杂的工艺，会频繁发生微小图案和/或焊垫的未对准(mis-alignment)。

发明内容

本发明的总的构思的示例实施方式提供包括焊垫的图案结构。

本发明的总的构思的示例实施方式提供通过简化的工艺制造包括焊垫的图案结构的方法。

本发明的总的构思的其他特征和功用将部分地阐述于下面的描述中，且部分地将从该描述变得显然，或者可通过实践本发明的总的构思而习得。

根据本发明的总的构思的示例实施方式，一种图案结构设置于半导体器件中。该图案结构包括延伸线和与该延伸线的端部相连的焊垫。该焊垫具有比该延伸线的宽度更大的宽度，该焊垫包括从该焊垫的侧部延伸的突出部分。

在示例实施方式中，该突出部分可沿第一延伸线的方向突出。例如，该突出部分可具有线形。

在示例实施方式中，线图案可形成为与该延伸线的另一端部相连。该线图案可沿第一方向延伸。

在示例实施方式中，该第一方向可不同于该延伸线的延伸方向，从而该线图案可以从该延伸线弯曲。

在示例实施方式中，该线图案可具有比该延伸线的宽度更小的宽度。

根据本发明的总的构思的示例实施方式，一种图案结构设置于半导体器件中，该图案结构包括第一图案和第二图案。该第一图案包括第一延伸线和第一焊垫，该第一焊垫具有从该第一焊垫的侧部延伸的第一突出部分。该第一焊垫与该第一延伸线的端部相连且该第一焊垫具有比该第一延伸线的宽度更大的宽度。该第二图案包括第二延伸线和第二焊垫，该第二焊垫具有从该第二焊垫的侧部延伸的第二突出部分。该第二延伸线与该第一延伸线倾斜地分开。该第二焊垫与该第二延伸线的端部相连，该第二焊垫具有比该第二延伸线的宽度更大的宽度。

在示例实施方式中，该第二延伸线可垂直于该第一延伸线。

在示例实施方式中，该第一和第二突出部分可分别沿该第一和第二延伸线的方向延伸。

在示例实施方式中，第一线图案可形成为连接到该第一延伸线的另一端部。该第一线图案可沿第一方向延伸。此外，第二线图案可形成为连接到该第二延伸线的另一端部。该第二线图案可沿与该第一方向平行的方向延伸。

在示例实施方式中，该第一方向可不同于该第一和第二延伸线的延伸方向，从而该第一和第二线图案可分别从该第一和第二延伸线弯曲。

在示例实施方式中，该第一线图案可具有与该第二线图案不同的长度。

在示例实施方式中，该第一和第二线图案可分别具有比该第一和第二延伸线的宽度小的宽度。

在示例实施方式中，该第一和第二线图案的每个可对应于栅电极。

根据本发明的总的构思的示例实施方式，提供一种形成半导体器件中的图案结构的方法。在制造该图案结构的方法中，包括第一材料膜图案和第二材料膜图案的牺牲图案结构形成在待蚀刻的层上。该牺牲图案结构包括具有第一宽度且沿第一方向延伸的牺牲线，倾斜地连接到该牺牲线的端部且具有比该第一宽度更大的宽度的第一牺牲焊垫部分，以及与该牺牲线的端部相连且具有比该第一宽度更大的宽度的第二牺牲焊垫部分。间隔物形成层形成在牺牲图案结构的侧壁上。该第一和第二牺牲焊垫部分之间的该牺牲线和该间隔物形成层的至少一些部分被选择性去除从而将该第一和第二牺牲焊垫部分的下部分分离。该间隔物形成层被各向异性蚀刻以形成间隔物。通过去除该牺牲线且同时保留该间隔物和该第一和第二牺牲焊垫部分而形成蚀刻掩模结构。利用该蚀刻掩模结构蚀刻该待蚀刻层从而形成包括第一线图案、第一延伸线和第一焊垫的第一图案以及形成包括第二线图案，第二延伸线和第二焊垫的第二图案。