[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

基板；及

第一发光单元，包括形成在该基板上且彼此电连结的第一发光二极管、第二发光二极管及第三发光二极管；

其中，该第一发光二极管包括：

具有第一导电型态的第一半导体层、具有第二导电型态的第二半导体层及形成在该第一和该第二半导体层间的发光叠层；

第一连接层，形成在该第一半导体层上用以电连结至该第二发光二极管；

第二连接层，与第一连接层分开形成在该第一半导体层上；及

第三连接层，形成在该第二半导体层上用以电连结至该第三发光二极管。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一半导体层包括n型半导体层，该第二半导体层包括p型半导体层；

其中，该发光叠层形成在该第一半导体层上，且该第二半导体层形成在该发光叠层上，

其中，该发光叠层使该第一和该第二连接层相隔开。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一半导体层包括p型半导体层，该第二半导体层包括n型半导体层；

其中，该发光叠层形成在该第二半导体层上，且该第一半导体层形成在该发光叠层上。

4.如权利要求1所述的发光元件，还包括第四连接层、第二发光单元、及第三发光单元；该第二和该第三发光单元皆包括多个发光二极管；

其中，该第二连接层位于该第一发光单元的一侧，以沿着第一连接方向电连结至该第二发光单元，及该第四连接层位于该第一发光单元的另一侧，以沿着第二连接方向电连结至该第三发光单元；

其中，该第二连接方向不平行于该第一连接方向。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中，该第一半导体层具有范围从0.01到0.7Ω-cm的电阻率。

6.一种发光元件，包括：

基板；及

多个发光单元，形成在该基板上且彼此电连结；

其中，该多个发光单元中，第一发光单元包括：

第一连接层，位于该第一发光单元的一侧，以沿着第一连接方向电连结至邻近的发光单元；

第二连接层，位于该第一发光单元的另一侧，以沿着第二连接方向电连结至另一邻近的发光单元；该第二连接方向不平行于该第一连接方向。

7.一种发光元件，包括：

第一发光群组，包括发光二极管，该发光二极管包括第一端点、第二端点及第三端点；

其中，第一电流，流经该第一和该第二端点；第二电流，不同于该第一电流，且流经该第三端点及该第一和第二端点其中之一以使该发光二极管发光。

8.如权利要求7所述的发光元件，还包括第二发光群组，与该第一发光群组形成电连结；

其中，该第一电流流经该第二发光群组。

9.如权利要求7所述的发光元件，还包括桥接发光二极管；

其中，该桥接发光二极管与该第二发光群组以串联方式连结，因此该第一电流流经该桥接发光二极管；该桥接发光二极管与该第一发光群组以串联方式连结，因此该第二电流流经该桥接发光二极管。

10.如权利要求9所述的发光元件，还包括多个发光单元，每一该发光单元包括该第一和该第二发光群组及该桥接发光二极管；

其中，该多个发光单元彼此以串联方式连结。

11.如权利要求10所述的发光元件，其中，该第一电流流经该第二端点、第一端点、及第二发光群组至邻近的发光单元。

12.如权利要求10所述的发光元件，其中，该第一电流流经该第二发光群组、第一端点、及第二端点至邻近的发光单元。