[发明专利]数据处理电路

说明书

本申请是申请日为2007年4月17日、申请号为200710096452.4、发明名称为“数据处理电路”的发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

通过参考将于2006年4月20日提交的日本专利申请No.2006-116842的全部公开内容，包括说明书、附图和摘要，引入到本文中。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，更具体而言，涉及一种可有效地用于具有USB(通用串行总线)2.0标准的发送/接收电路作为个人计算机接口的半导体器件的技术。

背景技术

在信号发送/接收系统中，在经由发送路径来连接发送侧和接收侧的情况中，将端接电阻器连接到发送路径的发送端和接收端中的每一端，且将端接电阻器的电阻值设定成与发送路径的特征阻抗相应的值，以减少在信号的发送端和接收端处的反射效应，由此提高信号质量和波形质量。随着通信速度增加，期望更精确地设定在信号的发送端和接收端处的端接电阻器的值，并减少信号反射效应。然而，在发送路径的发送端和接收端处外部附连端接电阻器的配置中，从发送电路到发送侧端接电阻器的安装位置以及从接收侧端接电阻器的安装位置到接收电路，存在一定距离的发送路径。因而，在从发送电路到发送侧端接电阻器的位置以及从接收侧端接电阻器的位置到接收电路的信号发送期间，存在寄生电容，并且在接收电路中波形质量下降也成为一个问题。在发送路径的发送端和接收端处外部附连端接电阻器的配置具有高制造成本的缺点，且要求实现端接电阻器在LSI中的集成。

迄今为止，为了在半导体LSI中实现端接电阻器的集成，例如，在只通过内建多晶硅电阻元件和扩散电阻元件(它们在同一制造工艺中与要设置在半导体LSI中的若干晶体管元件等同时制造)来构造端接电阻器的情况中，特性很大程度上取决于制造工艺、环境温度、施加电压等而变化，且无法获得期望的端接电阻器特性。日本未审专利申请公开No.2005-64455(半导体集成电路和信号发送/接收系统)提出了这样的端接电阻器的系统，其具有用于调整端接电阻器的MOS或作为端接电阻器一部分的MOS的栅极偏压的电路。

图12示出了对应于日本未审专利申请公开No.2005-64455的电路。作为端接电阻器一部分的多晶硅电阻元件R21的一端连接到电源电压端子Vcc。作为端接电阻器一部分的P沟道MOSFET QP11的源节点连接到电源电压端子Vcc。由栅极偏置电压调整电路产生的控制电压被供给到P沟道MOSFET QP11的栅极。栅极偏置电压调整电路调整P沟道MOSFET QP11的栅极偏置电压，以调整P沟道MOSFET QP11的电阻值。通过控制P沟道MOSFET QP11的电阻值，控制由P沟道MOSFET QP11和电阻元件R21构成的端接电阻器的值。恒定电流源Iref经由P沟道MOSFET QP10和多晶硅电阻元件R20的并联电路使恒定电流Iref从电源电压端子Vcc传至电路的接地。参考电压Vref供给到差分放大器AMP的反向输入(-)，且P沟道MOSFET QP10的漏极节点的电压反馈到差分放大器AMP的非反向输入(+)。差分放大器AMP的输出节点连接到P沟道MOSFETQP10的栅极节点以反馈控制P沟道MOSFET QP10的栅极偏置电压，使得在作为复制电路的电阻元件R20和MOSFET QP10中出现的电压降的量变得等于参考电压Vref。由于栅极偏置电压调整电路的输出节点也连接到作为端接电阻器一部分的P沟道MOSFET QP11的栅极，所以在电源电压端子Vcc和与线缆连接的LSI焊盘的节点n1之间的组合电阻值也变为与在复制电路中设定的值相同的期望值。利用这种配置，可以自动地将内建端接电阻器的电阻值调整为期望值。

发明内容