[发明专利]数据处理电路

权利要求书

1.一种信号发送/接收系统，包括：

发送电路，用于输出信号；

接收电路，用于接收所述信号；

传输线，连接在发送LSI和接收LSI之间，以传输所述信号；

第一电路，用于通过连接在第一参考电压和第一电位点之间的第一电阻元件来产生恒定电流；

第二电路，用于通过在第二电位点和由所述第一电路产生的所述恒定电流之间连接第二电阻元件来产生第二参考电压；

第一差分放大器，具有两个输入端子，由所述第二电路产生的电压供给到所述两个输入端子之一；

第一导电类型的第一MOSFET，其源极连接到所述第二电位点，其栅极连接到所述第一差分放大器的输出电压，所述第一MOSFET将漏极电压反馈给所述第一差分放大器的另一输入端子；

第一电流源，设置在所述第一MOSFET的漏极和所述电路的所述第一电位点之间，并且设定要传至所述第一MOSFET的电流；以及

所述第一导电类型的第二MOSFET，其源极连接到所述第二电位点，其栅极连接到所述第一MOSFET的栅极，并且其漏极连接到信号线，

其中所述第二MOSFET用作电阻元件，其电阻值对应于所述参考电压和所述第一电流源的电流而设定。

2.根据权利要求1的信号发送/接收系统，

其中所述第二电位点高于所述第一电位点，并且所述第二电位点和所述第二参考电压之间的电压是恒定的，以及

其中所述第一MOSFET和所述第二MOSFET是P沟道MOSFET。

3.根据权利要求2的信号发送/接收系统，

其中所述第一电路包括第二差分放大器、第三和第四P沟道型MOSFET、第五和第六N沟道型MOSFET以及第二电阻元件，

其中所述参考电压供给到所述第二差分放大器的两个输入端子之一，

其中所述第三和第四MOSFET的源极连接到所述第二电位点，

其中所述第五和第六MOSFET的源极连接到所述第一电位点，

其中所述第二电阻元件连接在所述第三MOSFET的漏极和所述第一电位点之间，

其中所述第二差分放大器的另一输入端子连接到所述第三MOSFET的漏极，

其中所述第四MOSFET的栅极和源极分别连接到所述第三MOSFET的栅极和源极，

其中所述第五MOSFET的栅极和漏极彼此连接，

其中所述第六MOSFET连接到所述第五MOSFET以形成电流镜电路，

其中所述第四MOSFET的漏极电流供给到所述第五MOSFET的漏极，以及

其中所述第六MOSFET的漏极电流用作所述恒定电流。

4.根据权利要求2的信号发送/接收系统，

其中所述第一电路包括第二差分放大器、第三和第四P沟道型MOSFET、第五至第七N沟道型MOSFET以及第二电阻元件，

其中所述参考电压供给到所述第二差分放大器的两个输入端子之一，

其中所述第三和第四MOSFET的源极连接到所述第二电位点，

其中所述第五和第六MOSFET的源极连接到所述第一电位点，

其中所述第七MOSFET的漏极连接到所述第三MOSFET的漏极，所述第二电阻元件连接在所述第七MOSFET的源极和所述第一电位点之间，

其中所述第二差分放大器的另一输入端子连接到所述第七MOSFET的源极，

其中所述第三MOSFET的栅极和漏极彼此连接，

其中所述第四MOSFET连接到所述第三MOSFET以形成电流镜电路，

其中所述第五MOSFET的栅极和漏极彼此连接，

其中所述第六MOSFET连接到所述第五MOSFET以形成电流镜电路，

其中所述第四MOSFET的漏极电流供给到所述第五MOSFET的漏极，以及

其中所述第六MOSFET的漏极电流用作所述恒定电流。

5.根据权利要求3的信号发送/接收系统，其中所述第一电阻元件和所述第二电阻元件通过同一制造工艺来形成，以在半导体衬底上方彼此邻近。

6.根据权利要求5的信号发送/接收系统，

其中由多晶硅制成的第三电阻元件与所述第一MOSFET并联连接，以及

其中由多晶硅制成的第四电阻元件与所述第二MOSFET并联连接。