[发明专利]壳体及其制造方法

权利要求书

1.一种壳体，该壳体包括镁或镁合金基体，其特征在于：该壳体还包括依次形成于该镁或镁合金基体上的镁锡合金层、锡层、铬层、铬锡合金层及CrNO层。

2.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述锡层、铬层及CrNO层均通过磁控溅射镀膜法形成。

3.如权利要求2所述的壳体，其特征在于：所述镁锡合金层由锡层与镁或镁合金基体界面处的金属锡向镁或镁合金基体扩散而形成，所述铬锡合金层由锡层与铬层界面处的金属锡向铬层扩散而形成。

4.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述铬层的厚度为0.2～0.5μm，所述CrNO层的厚度为0.2～2.0μm。

5.一种壳体的制造方法，其包括如下步骤：

提供镁或镁合金基体；

以锡靶为靶材，于所述镁或镁合金基体表面磁控溅射锡层，溅射温度为50～150℃，溅射时间为30～60min；在该锡层的溅射过程中，该锡层与镁或镁合金基体界面处的金属锡向镁或镁合金基体扩散，于镁或镁合金基体与锡层之间形成镁锡合金层；

以铬靶为靶材，于所述锡层上磁控铬层，溅射温度为50～150℃；在该铬层的溅射过程中，所述锡层与铬层界面处的金属锡向铬层扩散，于锡层与铬层之间形成铬锡合金层；

以铬靶为靶材，氮气和氧气为反应气体，于该铬层上磁控溅射CrNO层。

6.如权利要求5所述的壳体的制造方法，其特征在于：溅射所述锡层的工艺参数为：锡靶的电源功率为5～10kw，于镁或镁合金基体上施加-50～-300V的偏压，以氩气为工作气体，氩气的流量为100～300sccm。

7.如权利要求5所述的壳体的制造方法，其特征在于：溅射所述铬层的工艺参数为：以铬靶为靶材，其电源功率为5～10kw，溅射时间为20～60min。

8.如权利要求5所述的壳体的制造方法，其特征在于：溅射所述CrNO层的工艺参数为：氮气的流量为10～120sccm，氧气的流量为10～60sccm，溅射时间为30～90min。

9.如权利要求5所述的壳体的制造方法，其特征在于：所述壳体的制造方法还包括在进行磁控溅射所述锡层前对所述镁或镁合金基体进行超声波清洗及等离子清洗的步骤。