[发明专利]镀膜件及其制作方法

权利要求书

1.一种镀膜件，包括一基材、一催化层、一结合层和一疏水层，所述催化层形成于基材上，所述结合层形成于催化层上，所述疏水层形成于结合层上，其特征在于：该催化层为一Sn膜层，该结合层为一含Ti、Sn、SnO₂和TiO₂的膜层，该疏水层为一Si-N膜层。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述催化层、结合层和疏水层的厚度范围均为0.5μm～1.0μm。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基材为金属材料或为玻璃、塑料。

4.一种镀膜件的制作方法，其包括如下步骤：

提供一基材；

在该基材表面磁控溅射一Sn膜层；

在该Sn膜层上磁控溅射一Ti膜层；

对形成有Sn膜层和Ti膜层的基材在真空室中进行热氧化处理，使该二膜层中的部分Sn及部分Ti氧化生成SnO₂和TiO₂，形成一含Ti、Sn、SnO₂和TiO₂的结合层；

在该结合层上磁控溅射一疏水层，该疏水层为一Si-N膜层。

5.如权利要求4所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：所述热氧化处理的条件为：以加热速度为15-30℃/min，加热至400～700℃，并保温40～90min。

6.如权利要求5所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：所述氧气的体积百分比含量低于真空室中气体的2％。

7.如权利要求4所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：溅射所述Sn膜层以Sn为靶材，对Sn靶施加-100～-200V的偏压，镀膜温度为50～100，以氩气为工作气体，其流量设为300～500sccm。

8.如权利要求4所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：溅射所述Ti膜层以Ti为靶材，对Ti靶施加-150～-200V的偏压，真空室温度为120～200，以氩气为工作气体，其流量为300～500sccm。

9.如权利要求4所述的镀膜件的制作方法，其特征在于：溅射所述疏水层以Si为靶材，对Si靶施加-150～-200V的偏压，真空室温度为150～200，以氮气为反应性气体，氮气的流量为100～200sccm；以氩气为工作气体，其流量为300～500sccm。