[发明专利]改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法

权利要求书

1.一种改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，硅片表面淀积ONO层；

步骤二，深沟槽刻蚀第一步，以所述ONO层最上方的氧化硅作为刻蚀阻挡层，该步刻蚀停在硅表面，并去除光阻，形成沟槽；

步骤三，表面沉积氮化硅，刻蚀氮化硅形成侧壁并将ONO层表面和硅表面的氮化硅去除干净，形成ONO层侧壁氮化硅保护层；

步骤四，深沟槽刻蚀第二步，在步骤(2)形成的沟槽内继续刻蚀硅，形成深沟槽；

步骤五，去除侧壁氮化硅保护层及ONO层最上方的氧化硅和中间氮化硅；

步骤六，以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；

步骤七，采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所述ONO层最下方的氧化硅作为研磨阻挡层；

步骤八，去除所述ONO层最下方的氧化硅。

2.如权利要求1所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，在步骤一中，所述淀积ONO层采用常压化学气相沉淀工艺、低压化学气相沉淀工艺或等离子体增强化学气相沉淀工艺，所述ONO层包括位于下方的厚度为的氧化硅、位于中间的厚度为的氮化硅、位于上方的厚度为的氧化硅。

3.如权利要求1所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，在步骤一中，所述硅片包括硅衬底，即硅衬底上生长的一层外延层，该外延层的厚度为0～60微米。

4.如权利要求1所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，在步骤三中，所述沉积氮化硅采用常压化学气相沉淀工艺、低压化学气相沉淀工艺或等离子体增强化学气相沉淀工艺，该氮化硅的厚度为10～

5.如权利要求1所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，在步骤三中，所述刻蚀氮化硅形成侧壁并将ONO层表面和硅表面的氮化硅去除干净采用各向异性干法刻蚀工艺，该各向异性干法刻蚀工艺所用的反应气体为O₂及含氟气体，压力范围为10-100sccm。

6.如权利要求5所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，所述含氟气体为CF₄、CHF₃、CF₄、C₄F₈或C₄F₆。

7.如权利要求1所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，在步骤四中，所述形成的深沟槽的深度范围为2～60微米。

8.如权利要求1所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，在步骤二和步骤四中，所述的深沟槽刻蚀采用干法刻蚀工艺。

9.如权利要求1所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，步骤五具体为：首先去除ONO层最上方的氧化硅，再将ONO层中间的氮化硅和侧壁氮化硅保护层一起去除；步骤五采用干法刻蚀工艺和/或湿法腐蚀工艺。

10.如权利要求1所述的改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，在步骤八中，采用干法刻蚀工艺或湿法腐蚀工艺去除所述ONO层最下方的氧化硅。